【路之遙電子網(wǎng)訊】4GB和128GB，有沒有瞬間被秒掉的感覺？三星最新的手機(jī)內(nèi)存條可達(dá)到128GB，想想就覺得驚艷。再也不用擔(dān)心手機(jī)卡殼的現(xiàn)象了。

當(dāng)然被稱為“性能怪獸”的華為Mate7也不會(huì)出現(xiàn)手機(jī)卡殼的現(xiàn)象， 不僅如此華為的這款手機(jī)還一度出現(xiàn)有價(jià)無市的現(xiàn)象。雖然屏幕尺寸仍舊為6英寸，但是華為Mate 7進(jìn)行了不小的瘦身工作，其機(jī)身厚度僅為7.9毫米，這個(gè)厚度在同級別屏幕尺寸智能手機(jī)中是最薄的(前作Mate 2厚度是9.54毫米)，同時(shí)屏幕分辨率提升至1080P，并配備最新的海思麒麟K925八核處理器。所以如此高性能的手機(jī)成為專業(yè)用戶的最愛也不足為奇了。

但是現(xiàn)在三星的這款128GB芯片將這一性能提高了不止一個(gè)檔次，可以說是工兵與終極BOSS的較量，因而，如果華為Mate7搭載上這款芯片，將會(huì)秒殺一切手機(jī)。

這款芯片將會(huì)被用于企業(yè)服務(wù)器，并且使用了三星的硅通孔技術(shù)，可以在更小的封裝面積上集成更多的內(nèi)存。三星的這款芯片內(nèi)置了 144 個(gè)芯片，形成了 36×4GB DRAM 封裝，每個(gè)封裝中有 4×8Gb 芯片，所以采用 128GB 的容量。而且該內(nèi)存芯片采用了三星最先進(jìn)的 20nm 工藝制造，數(shù)據(jù)傳輸速度高達(dá) 2400Mbps。

三星去年 8 月就宣布推出全球第一款采用 3D TSV 立體硅穿孔封裝技術(shù)打造的內(nèi)存芯片，單條 DDR4 內(nèi)存條容量高達(dá) 64GB。但三星這次要量產(chǎn)的是近期推出的 128GB 內(nèi)存芯片，容量比去年翻了一倍。

三星稱這款 128GB 的芯片“具有迄今 DRAM 模塊中最大的內(nèi)存容量和最高的能效比”。據(jù)悉，這款內(nèi)存芯片將用于企業(yè)服務(wù)器中，價(jià)格未知，有媒體稱價(jià)格比家用的普通電腦還貴。

不過令人傷心的是這款內(nèi)存條雖然已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，但是并沒有能很快地運(yùn)用到手機(jī)上，這著實(shí)令消費(fèi)者憂傷，所以可以肯定的是，明年 2 月發(fā)布的三星新旗艦 Galaxy S7 與其無緣。