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BL8203是針對于雙NMOS的半橋柵極驅(qū)動芯片，專為高壓、高速驅(qū)動N型功率MOSFET和IGBT設(shè) ...
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BL8203是一款針對于雙NMOS的半橋柵極驅(qū)動芯片，專為高壓、高速驅(qū)動N型功率MOSFET和IGBT設(shè)計，可在高達250V 電壓下工作。
BL8203內(nèi)置VCC和VBS欠壓（UVLO）保護功能，防止功率管在過低的電壓下工作，提高效率。
BL8203輸入腳兼容3.3-15.0V輸入邏輯， 集成防穿通死區(qū)時間為200ns，驅(qū)動能力為+1.0A/-1.5A。
BL8203采用SOP8封裝。
BL8203內(nèi)置VCC和VBS欠壓（UVLO）保護功能，防止功率管在過低的電壓下工作，提高效率。
BL8203輸入腳兼容3.3-15.0V輸入邏輯， 集成防穿通死區(qū)時間為200ns，驅(qū)動能力為+1.0A/-1.5A。
BL8203采用SOP8封裝。
特點
- 懸浮絕對電壓250V
- 電源電壓工作范圍:10.0-20.0V
- 兼容3.3/5/15V輸入邏輯
- 驅(qū)動電流:+1.0A/-1.5A(typ.)
- 死區(qū)時間: 200ns (typ.)
- 集成VCC和VBS欠壓保護
- SOP8 封裝
- https://www.belling.com.cn/media/file_object/bel_product/BL8203/datasheet/BL8203_V1.0.pdf
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