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標(biāo)題: 有沒(méi)有人對(duì)IGBT失效分析感興趣的？ [打印本頁(yè)]

作者: keywang 時(shí)間: 2010-6-8 15:46
標(biāo)題: 有沒(méi)有人對(duì)IGBT失效分析感興趣的？
有沒(méi)有人對(duì)PFC電路中的IGBT失效分析感興趣的？可以探討一下

作者: wb61850 時(shí)間: 2010-6-8 15:54
主題很好，頂一下。呵呵

作者: 老郭 時(shí)間: 2010-6-8 15:57
樓主說(shuō)具體點(diǎn)。

作者: wb61850 時(shí)間: 2010-6-8 16:02
說(shuō)實(shí)在話，俺對(duì)“晶體管”也是情有獨(dú)鐘，呵呵

當(dāng)然，這里的晶體管是泛指。呵呵

讀過(guò)兩本書(shū)，一本是《半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)》，一本是《晶體管原理》，想想至今幽香猶存。可惜為了生存，畢竟要有所取舍。為了修好電飯鍋，也只能放棄一些東西，唉。
希望大家也廣蓋基礎(chǔ)高樓啊�！白岳�，自覺(jué)覺(jué)人”有何不好？呵呵

作者: 羅克韋爾 時(shí)間: 2010-6-10 08:03
回復(fù)4樓wb61850：

是呀基礎(chǔ)是發(fā)展和提高的前提呀可惜我了沒(méi)有基礎(chǔ)

作者: wb61850 時(shí)間: 2010-6-10 09:10

回復(fù)4樓wb61850：

是呀基礎(chǔ)是發(fā)展和提高的前提呀可惜我了沒(méi)有基礎(chǔ)
羅克韋爾發(fā)表于 2010-6-10 08:03

哪有啊，呵呵。
其實(shí)我水平很低的了，瞎說(shuō)的撒，呵呵。

大家一起努力，一起加油吧！呵呵。

作者: andrewyin 時(shí)間: 2010-6-10 13:01
IGBT失效最終的原因肯定是過(guò)流，但過(guò)流的原因有很多：
1、Vce過(guò)壓：這是最最最最最嚴(yán)重的一種故障現(xiàn)象，功率半導(dǎo)體器件最怕過(guò)壓，如果在電壓范圍內(nèi)電流稍大些一般會(huì)保護(hù)（保護(hù)是通過(guò)通態(tài)下的Vce進(jìn)行的），但突然直流電壓猛升，那就來(lái)不及保護(hù)，一導(dǎo)通就玩完；
2、直流直通：IGBT分為單個(gè)開(kāi)關(guān)、雙開(kāi)關(guān)以及多開(kāi)關(guān)的橋等形式，在很多電路里面均是直流間有兩個(gè)IGBT開(kāi)關(guān)，正常情況下是上下兩個(gè)開(kāi)關(guān)是互斥的，不論什么原因?qū)е碌纳舷聝蓚€(gè)開(kāi)關(guān)同時(shí)導(dǎo)通都會(huì)引起失效; 當(dāng)然了，再傻也不會(huì)故障讓它去一起開(kāi)通，直通多發(fā)生在以下情況下：（1）脈沖算錯(cuò)，也就是說(shuō)你就是讓它直通，那就活該；（2）死區(qū)設(shè)置太短；（3）干擾，別小看這東西，一打到驅(qū)動(dòng)線上多半會(huì)死；（4）驅(qū)動(dòng)電源不干凈，串?dāng)_太猛或紋波太猛；
3、另外，也是又一個(gè)非常非常重要的原因：工藝，別認(rèn)為搞點(diǎn)硅脂一摸螺絲一擰就完事，你不會(huì)摸，你也不會(huì)擰！這一般是長(zhǎng)期效果，時(shí)間短了沒(méi)問(wèn)題，時(shí)間一長(zhǎng)尤其是溫度變化比較大（比如負(fù)荷變化較大）時(shí)問(wèn)題就出來(lái)了；
4、其它：讓我再想想；

作者: wb61850 時(shí)間: 2010-6-10 13:30
andrewyin同學(xué)說(shuō)的不錯(cuò)。

作者: keywang 時(shí)間: 2010-6-21 09:07
說(shuō)的很好，頂一個(gè) 回復(fù)7樓andrewyin：

作者: dubu 時(shí)間: 2010-6-23 14:33
說(shuō)的很好。。。

作者: zhuozzc 時(shí)間: 2011-11-7 09:19
頂一個(gè)

作者: 志新 時(shí)間: 2011-11-16 22:39
繼續(xù)挖掘.........

作者: wtliu 時(shí)間: 2011-12-5 09:09
這個(gè)主題很好，關(guān)鍵要有深度，更要實(shí)用。

作者: 良宵 時(shí)間: 2012-3-24 20:04
那位想理論和實(shí)踐一起研究啊？爆幾個(gè)管試試？好研究出保護(hù)措施�。。�

作者: 良宵 時(shí)間: 2012-3-24 20:05
那位想理論和實(shí)踐一起研究�。勘瑤讉€(gè)管試試？好研究出保護(hù)措施�。�？

作者: hbzhangtuo 時(shí)間: 2012-3-25 17:01

IGBT失效最終的原因肯定是過(guò)流，但過(guò)流的原因有很多：
1、Vce過(guò)壓：這是最最最最最嚴(yán)重的一種故障現(xiàn)象，功率半導(dǎo)體器件最怕過(guò)壓，如果在電壓范圍內(nèi)電流稍大些一般會(huì)保護(hù)（保護(hù)是通過(guò)通態(tài)下的Vce進(jìn)行的），但突然直流 ...
andrewyin 發(fā)表于 2010-6-10 13:01

說(shuō)得很好！

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