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標題: Vishay擴大在醫(yī)療電子領(lǐng)域中功率MOSFET的領(lǐng)先優(yōu)勢 [打印本頁]

作者: yan3388764 時間: 2010-11-23 10:35
標題: Vishay擴大在醫(yī)療電子領(lǐng)域中功率MOSFET的領(lǐng)先優(yōu)勢
日前，Vishay宣布，將為業(yè)內(nèi)首個用于植入式醫(yī)療應(yīng)用的功率 MOSFET系列增添兩款新器件 --- SMMA511DJ 和 SMMB912DK。這些MOSFET采用強化的工藝流程制造，對制造工藝進行了嚴格控制。
　　今天發(fā)布的器件是一款采用PowerPAK SC-70 (SMMA511DJ)封裝的N溝道和P溝道12V MOSFET，及一款采用PowerPAK SC75 (SMMB912DK)封裝的20V雙N溝道MOSFET。通過對每個批次的產(chǎn)品施加強化的質(zhì)量控制閥：統(tǒng)計箱限制(SBL)、良品率限制(SYL)，對晶圓和器件封裝進行部件平均測試(PAT)控制，以及對所有批次的晶圓進行一致可靠性測試，確保新MOSFET獲得區(qū)別于商用器件的高質(zhì)量和高可靠性。嚴格的SMM醫(yī)療MOSFET工藝流程還包括0.04%的合格質(zhì)量標準(AQL)。

　　新MOSFET的應(yīng)用將包括送藥系統(tǒng)、除顫器、起搏器、助聽器和其他植入式設(shè)備中的負載切換。器件的小封裝尺寸(SMMA511DJ為2mmx2mm，SMMB912DK為1.6mmx1.6mm)將有助于節(jié)省小型醫(yī)療設(shè)備中的空間，同時其低至0.4Ω的超低導(dǎo)通電阻能夠降低傳導(dǎo)損耗，從而延長電池壽命。更多：http://www.elexcon.com/conference/cmet2011/

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