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標題: 永源微AP6G03S、30V/N+P溝道MOSFET [打印本頁]

作者: ysp1    時間: 2023-9-28 09:30
標題: 永源微AP6G03S、30V/N+P溝道MOSFET
描述:
AP6G03S采用先進的溝道技術(shù),提供出色的
RDS(ON)、低柵極電荷和低至4.5V的柵極電壓,
適合用作
電池保護或其它開關(guān)應(yīng)用。
一般特征:
VDS=30伏內(nèi)徑=10安
RDS(ON)<25mω@VGS=10V
VDS =-30V ID =-7.6 A
RDS(ON)<-48mω@VGS= 10V


應(yīng)用:
電池保護
負載開關(guān)
不間斷電源


基本參數(shù):
最小工作溫度:-10℃
最大工作溫度:130℃
最小電源電壓:1.5V
最大電源電壓:7.5V
長度:9.6mm
寬度:1.5mm
高度:1.8mm
漏源電壓:+30V
柵源電壓:20V
連續(xù)漏極電流,VGS @ 10V1
連續(xù)漏極電流,VGS @ 10V1
脈沖漏極電流:20
單脈沖雪崩能量:22
雪崩電流,21
儲存溫度范圍,-55到150°
輸入電容:VDS=15V,VGS=0V,f=1MHz
封裝:SOP-8 管裝 最小包裝3000一包
邱工:18028337418(微信同步)QQ:3101377292






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