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標題:
S70KS1283GABHB020，S70KS1283GABHI020，S27KS0642GABHV020存儲器
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作者:
xingjijinhua
時間:
2024-8-23 11:03
標題:
S70KS1283GABHB020，S70KS1283GABHI020，S27KS0642GABHV020存儲器
明佳達，星際金華供求 S70KS1283GABHB020，S70KS1283GABHI020，S27KS0642GABHV020存儲器
S70KS1283GABHB020 200MHz 35ns PSRAM 存儲器 IC
產品描述
S70KS1283GABHB020 是高性能嵌入式系統(tǒng)的理想之選，該系統(tǒng)需要擴展內存，用于刮板或緩沖。
功能特點
相移時鐘用于在讀取數據眼內移動 RWDS 轉換邊沿
200 MHz 最大時鐘速率
集成電路芯片 35ns S70KS1283GABHI020 128Mbit SPI - 八進制 I/O 存儲器 IC
產品說明
S70KS1283GABHI020 是一款高速、低引腳數、低功耗的自刷新動態(tài) RAM (DRAM)，適用于需要擴展存儲器用于刮板或緩沖的高性能嵌入式系統(tǒng)。
特性
DDR - 在時鐘的兩個邊沿上傳輸數據
數據吞吐量高達 400 MBps（3,200 Mbps）
可配置的突發(fā)特性
S27KS0642GABHV020 DRAM HyperRAM 存儲器 IC 64Mbit 24-VBGA 表面貼裝
產品描述
S27KS0642GABHV020 的 DRAM 單元不能在讀取或寫入事務期間刷新，這就要求主機限制讀取或寫入突發(fā)傳輸的長度，以便在需要時進行內部邏輯刷新操作。
特性
線性突發(fā)
封裝突發(fā)長度
混合選項 - 一個封裝突發(fā)后是線性突發(fā)
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