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標(biāo)題: [供求] MOSFET 晶體管 BSC020N03MSG / 5M80ZT100I5N MAX® V 復(fù)雜可編程邏輯器件 [打印本頁]

作者: Mingjiada 時(shí)間: 2025-4-22 10:44
標(biāo)題: [供求] MOSFET 晶體管 BSC020N03MSG / 5M80ZT100I5N MAX® V 復(fù)雜可編程邏輯器件
深圳市明佳達(dá)電子，星際金華長(zhǎng)期（供應(yīng)及回收）原裝庫存器件！
【供求原裝器件】MOSFET 晶體管 BSC020N03MSG / 5M80ZT100I5N MAX® V 復(fù)雜可編程邏輯器件。
【供應(yīng)】只做原裝，庫存器件，價(jià)格方面由于浮動(dòng)不一，請(qǐng)以當(dāng)天詢問為準(zhǔn)！
【回收】只需原裝庫存器件，須有原廠外包裝標(biāo)簽，有庫存的朋友，歡迎隨時(shí)聯(lián)絡(luò)我們！

BSC020N03MSG：30V，OptiMOS™ N通道功率 MOSFET 晶體管，PG-TDSON-8
型號(hào)：BSC020N03MSG
封裝：PG-TDSON-8
類型：MOSFET 晶體管
BSC020N03MSG——產(chǎn)品屬性：
系列：OptiMOS™
FET 類型：N 通道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：30 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：25A（Ta），100A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：2 毫歐 @ 30A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：2V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：124 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：9600 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），96W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝：PG-TDSON-8-1
封裝/外殼：8-PowerTDFN

5M80ZT100I5N：MAX® V 復(fù)雜可編程邏輯器件（CPLD）IC，TQFP-100
型號(hào)：5M80ZT100I5N
封裝：TQFP-100
類型：CPLD - 復(fù)雜可編程邏輯器件
5M80ZT100I5N——產(chǎn)品屬性：
系列：MAX® V
可編程類型：系統(tǒng)內(nèi)可編程
延遲時(shí)間 tpd(1) 最大值：7.5 ns
供電電壓 - 內(nèi)部：1.71V ~ 1.89V
邏輯元件/塊數(shù)：80
宏單元數(shù)：64
I/O 數(shù)：79
工作溫度：-40°C ~ 100°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：100-TQFP
供應(yīng)商器件封裝：100-TQFP（14x14）

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