AO4840L詳細(xì)介紹

一般說明

       AO4840L采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)MOSFET，可提供出色的RDS（ON）和低柵極電荷。該雙器件適合用作負(fù)載開關(guān)或PWM應(yīng)用。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品AO4840不含鉛（符合ROHS和Sony 259規(guī)格）。 AO4840L是綠色產(chǎn)品訂購(gòu)選項(xiàng)。 AO4840和AO4840L在電氣上完全相同。

特征

VDS（V）= 40V ID = 6A（VGS = 10V）

RDS（ON）<31mS2（VGS = 10V）

RDS（ON）<45mS2（VGS = 4.5V）

詳情介紹：

對(duì)無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況：無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

濕氣敏感性等級(jí)（MSL）：1（無限）

制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期：16 周

系列：-

包裝：剪切帶（CT） ,帶卷（TR） 

FET類型：2個(gè)N溝道（雙）

FET功能：邏輯電平門

漏源極電壓（Vdss）：40V

電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時(shí)）：6A

不同 Id，Vgs時(shí)的 RdsOn（最大值）：30毫歐@6A，10V

不同Id時(shí)的Vgs（th）（最大值）：3V@250μA

不同Vgs時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值）：10.8nC@10V

不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：650pF@20V

功率（最大值）：2W

工作溫度：-55°C~150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝(SMT)

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）

供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC