- 三星正在改善1Gb MRAM壽命問題 2020-03-25
- 據(jù)報道三星已經(jīng)成功研發(fā)出有望替代嵌入式閃存存儲器（eFlash）的嵌入式磁阻隨機(jī)訪問內(nèi)存（eMRAM），容量為1Gb，測試芯片的優(yōu)良率已達(dá)90%。 隨著5G物聯(lián)網(wǎng)時代 ...
- 到2029年MRAM收入將增長170倍 2020-01-16
- 一份新市場報告預(yù)計，從2018年到2029年，獨立 MRAM 和STT-MRAM的收入將增長170倍，達(dá)到近40億美元的收入。下一代內(nèi)存技術(shù)的增長將主要由取代效率較低的內(nèi)存技 ...
- 基于意法半導(dǎo)體MCU STM32的底層配置 2020-01-15
- 本文通過介紹 意法半導(dǎo)體MCU STM32主要的底層配置，通過關(guān)鍵步驟的程序源代碼的介紹，闡述實現(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸?shù)募?xì)節(jié)以及注意事項。該方法對其他項目或芯片有一定的實 ...