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(APM永源微)AP30N15D 150V 30A N溝道增強型MOSFET、封裝TO-252-3L

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發(fā)布時間: 2024-5-24 10:34

正文摘要:

概述: AP30N15D采用先進的溝槽技術(shù),可提供出色的R-D(ON)、低柵極電荷和低至4.5V的柵極電壓。該裝置適用于電池保護或其他開關(guān)應(yīng)用。 一般特性 - V-DS=150V,I-D=30A - V-GS=10V時,R-DS(開啟)

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