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5N10 MOS管惠海HG160N10LS 絲印HG510 高頻率 大電流 損耗小 低內(nèi)阻

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發(fā)布時(shí)間: 2024-6-27 10:33

正文摘要:

HG160N10LS采用先進(jìn)的SFGMOS技術(shù),提供低 RDS(ON),低門充電,快速切換和出色的雪崩特性。該設(shè)備是專門設(shè)計(jì)的以獲得更好的耐用性,并適用于在同步整流應(yīng)用。N溝道場(chǎng)效應(yīng)管,封裝SOT23-3,開(kāi)啟電壓1.7V 低結(jié)電容201p ...

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