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HB（高亮度）LED工作時(shí)需要大電流。當(dāng)從一個(gè)電壓源驅(qū)動(dòng)HB LED時(shí)，可以用一支合適的串聯(lián)電阻設(shè)定所需的電流。如果電壓源為電池，則隨著電池電力的消耗，LED的亮度也遞減。另外，串聯(lián)電阻的缺點(diǎn)是有功耗。更好的選擇是采用一只合適的DC/DC轉(zhuǎn)換器。如果LED的導(dǎo)通電壓低于電池電壓（如采用6V密封鉛酸電池時(shí)），則可以采用一個(gè)降壓變換器（參考文獻(xiàn)1與參考文獻(xiàn)2）�？梢灾挥靡恍┓至⒃⒁粋�(gè)簡(jiǎn)單的降壓轉(zhuǎn)換器。它需要兩支雙極晶體管，一只P溝道MOSFET，一個(gè)電感，一個(gè)肖特基二極管和一些電阻（圖1）。 當(dāng)接通電池電壓時(shí)，與HB LED串聯(lián)電阻R1上的電壓為0V。于是，晶體管Q2關(guān)斷，Q1飽和。Q1的飽和態(tài)使MOSFET導(dǎo)通，因此電池電壓通過(guò)電感加在LED上。當(dāng)通過(guò)電阻 R1的電流增加時(shí)，使Q2導(dǎo)通，從而Q1截止，于是MOSFET關(guān)斷。MOSFET為關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，電感繼續(xù)通過(guò)肖特基二極管D2為L(zhǎng)ED提供電流。HB LED為1W白光Lumiled LED。電阻R1幫助控制LED的亮度。用較大值的R1可減小亮度。 Linear Technology公司的SwitchCAD-III軟件（可免費(fèi)下載）用于電路仿真；仿真中使用的MOSFET為國(guó)際整流器公司的IRF9Z24S，而不是IRF9540，因?yàn)镾witchCAD-III中沒(méi)有IRF9540這個(gè)型號(hào)。圖2是MOSFET的漏極以及Q1基極電壓波形。圖3是 MOSFET漏極電壓和Q1基極電壓的示波器截屏圖。它們與仿真波形有良好的匹配。對(duì)于6V~10V電源電壓，轉(zhuǎn)換效率為60% ~ 95%。 |
