干貨分享 | 高功率氮化鎵場效應晶體管：高性能、高效率、高可靠性（上）

芻狗

Nexperia（安世半導體）的高功率氮化鎵場效應晶體管，共將分為（上）（下）兩期，包含其工藝、性能優(yōu)勢、產品及封裝等內容。本期將先介紹 Nexperia（安世半導體）氮化鎵產品的成熟的工藝。

從產品概念和設計到制造和銷售，把握好最小的細節(jié)才能助力全球最嚴苛的行業(yè)實現(xiàn)質量和效率雙贏。Nexperia（安世半導體）成功的關鍵是，我們始終致力于滿足甚至超越客戶所期望的嚴格質量標準，這種要求嚴格的質量標準同樣會應用到我們功率氮化鎵場效應晶體管的研發(fā)中。

安世半導體的產品基于久經考驗的零缺陷、六希格瑪和安全量產流程，滿足國際公認的質量標準（ISO 9000）、環(huán)境標準（ISO 14001）、健康和安全標準（ISO 45001 / OHSAS 18001）或特定行業(yè)標準（IATF 16949）要求，從而我們所有客戶都能從中受益。我們擁有自有化的晶圓加工和封裝工廠，可嚴格控制每一個生產環(huán)節(jié)，我們的氮化鎵場效應晶體管也將提供與 Nexperia 其它產品相同水平的服務和支持。

任何新技術都需要提高可信度，因此我們在研發(fā)氮化鎵場效應晶體管時，也做了應用和技術方面特有的質量和可靠性測試。

硅基氮化鎵（GaN-on-Si）：

用一種封裝實現(xiàn)高功率和高效率

電源轉換效率是推動電力電子發(fā)展的重要因素，但功率密度和效率之間通常需要權衡。買元器件現(xiàn)貨上唯樣商城！

對于高效率和高功率密度的要求，650 V 的硅基氮化鎵場效應晶體管是理想的解決方案。它允許在高電壓和 大電流下進行高頻開關操作。極低的開關品質因數(shù)（RDS(on) x QGD）和反向恢復電荷（Qrr）可使器件工作在高頻 以降低系統(tǒng)功耗，實現(xiàn)高效率的功率轉換。

在相同的測試電路中，與硅器件相比，反向恢復損耗低。

硅基氮化鎵：顛覆性工藝

與硅（Si）相比，III-V 化合物半導體，比如 GaN，通常具有性能優(yōu)勢。例如，GaN 物理性能穩(wěn)定，帶隙寬，具有耐高溫性和 相當?shù)膶�熱性。但是，III-V 半導體的加工成本往往更高。在大尺寸的硅基片上生成較厚的 GaN 外延層是近期才取得的 一項技術突破。它可以在現(xiàn)有的 8 寸晶圓廠加工制造，在功率應用中將晶圓成本降低到具有競爭力的水平。