|
廣泛的多裸晶系統(tǒng)設計解決方案可支持3Dblox 2.0標準及臺積公司3DFabric技術，提高快速異構集成的生產(chǎn)率 新思科技（Synopsys, Inc., 納斯達克股票代碼: SNPS）近日宣布進一步擴大與臺積公司的合作，雙方攜手通過可支持最新3Dblox 2.0標準和臺積公司3DFabric技術的全面解決方案不斷優(yōu)化多裸晶系統(tǒng)（Multi-Die）設計。新思科技多裸晶系統(tǒng)解決方案包括 “從架構探索到簽核”統(tǒng)一設計平臺3DIC Compiler，可提供行業(yè)領先的設計效率，來實現(xiàn)芯片的容量和性能要求。此外，新思科技 UCIe IP也已在臺積公司領先的N3E先進工藝上取得了首次通過硅片的成功，實現(xiàn)die-to-die高速無縫互連。 
圖：新思科技UCIe PHY IP在臺積公司N3E工藝上首次通過硅片的成功，展示了出充足的鏈路裕量 臺積公司設計基礎設施管理部負責人Dan Kochpatcharin表示：“臺積公司長期與新思科緊密合作，為芯片開發(fā)者提供差異化的解決方案，幫助他們解決從早期架構到制造過程中面臨的高度復雜挑戰(zhàn)。我們與新思科技的長期合作，讓我們的共同客戶能夠采針對性能和功耗效率優(yōu)化的解決方案，以應對高性能計算、數(shù)據(jù)中心和汽車應用領域的多裸晶系統(tǒng)設計要求�！� 新思科技EDA事業(yè)部戰(zhàn)略與產(chǎn)品管理副總裁Sanjay Bali表示：“我們與臺積公司強強聯(lián)合，為多裸晶系統(tǒng)提供了全面、可擴展的解決方案，實現(xiàn)了前所未有的芯片性能和設計效率。采用3Dblox 2.0等通用標準在統(tǒng)一設計平臺上進行多裸晶系統(tǒng)設計的架構探索、分析和簽核，并結合在臺積公司N3E工藝上已實現(xiàn)首次通過硅片成功的新思科技 UCIe PHY IP，客戶能夠進一步加速從早期架構探索到制造的系統(tǒng)設計全流程�！� 新思科技3DIC Compiler設計平臺已通過臺積公司認證，可在統(tǒng)一的裸片/封裝探索、協(xié)同設計和分析平臺上使用3Dblox 2.0標準和3DFabric技術進行全棧設計。新思科技集成系統(tǒng)分析功能可與3Dblox 2.0系統(tǒng)原型設計相結合，協(xié)同優(yōu)化熱和電源完整性，有助于確保設計可行性。新思科技和Ansys持續(xù)合作，將新思科技 3DIC Compiler和Ansys多物理分析技術相集成，提供系統(tǒng)級效果的簽核準確性。新思科技3DIC Compiler還可與新思科技測試產(chǎn)品互操作，以確保批量測試和質量。 新思科技UCIe PHY IP已在臺積公司 N3E工藝上實現(xiàn)首次通過硅片的成功，并獲多家全球領先企業(yè)采用，能夠幫助開發(fā)者高效地將die-to-die互聯(lián)的業(yè)界標準集成到他們的多裸晶系統(tǒng)中。結果顯示，該IP在16Gbps時可實現(xiàn)行業(yè)領先的功耗效率和性能，并可擴展至24Gbps，同時具有強大的鏈路裕量。新思科技的完整UCIe Compiler、PHY和驗證IP解決方案目前已支持標準和先進封裝，提供了測試、修復和監(jiān)測功能，即使在以確保多裸晶系統(tǒng)在現(xiàn)場操作中的可靠性。此外，新思科技還提供了面向HBM3技術的完整IP解決方案，以滿足Multi-Die系統(tǒng)的高內(nèi)存帶寬需求。新思科技IP產(chǎn)品與新思科技3DIC Compiler的組合通過自動化布局布線、中介層研究和信號完整性分析，支持3Dblox 2.0 die-to-die可行性研究，從而提高生產(chǎn)力并降低IP集成風險。 上市情況 · 新思科技面向臺積公司N3E工藝的UCIe PHY IP和3DIC Compiler現(xiàn)已上市。 · 新思科技面向臺積公司先進工藝的 HBM3 IP現(xiàn)已上市。 更多資源點擊 · 網(wǎng)絡資源： 新思科技 Multi-Die系統(tǒng)解決方案 · 新思科技行業(yè)洞察報告： Multi-Die系統(tǒng)將多快改變半導體設計？ · 線上研討會： Multi-Die系統(tǒng)的成功之路 · 網(wǎng)絡資源： 面向臺積公司 N3E 工藝的業(yè)界廣泛 IP 產(chǎn)品組合實現(xiàn)首次通過硅片成功 |
