|
《每日科學(xué)》網(wǎng)站（www.sciencedaily.com） 晶體管被譽(yù)為20世紀(jì)最偉大發(fā)明之一，是現(xiàn)代電子設(shè)備的核心元件。然而，隨著電子產(chǎn)品不斷微型化，硅基晶體管的尺寸縮減已接近極限。日本東京大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究所的研究團(tuán)隊(duì)提出了一種創(chuàng)新解決方案——采用鎵摻雜氧化銦（InGaOx）材料制造晶體管，有望突破硅基技術(shù)的瓶頸。 這種新型晶體管采用“全環(huán)繞柵極”結(jié)構(gòu)，即控制電流開(kāi)關(guān)的柵極完全包裹溝道，從而顯著提升效能與可微縮性。氧化銦本身存在氧空位缺陷，容易導(dǎo)致載流子散射，影響器件穩(wěn)定性。研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)鎵摻雜抑制氧空位，大幅提高了晶體管的可靠性。 在制造工藝上，團(tuán)隊(duì)利用原子層沉積技術(shù)，逐層在溝道區(qū)域沉積InGaOx薄膜，并通過(guò)加熱處理使其形成有序的晶體結(jié)構(gòu)，最終成功制備出的“全環(huán)繞柵極金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）”。測(cè)試表明，這種新型晶體管的電子遷移率達(dá)到44.5 cm2/Vs，并在持續(xù)近三小時(shí)的壓力測(cè)試中保持穩(wěn)定，性能優(yōu)于以往同類器件。 這項(xiàng)研究為高密度、高可靠性的電子元件開(kāi)發(fā)提供了新思路，尤其適用于大數(shù)據(jù)、人工智能等高算力需求的領(lǐng)域。未來(lái)，這種新型晶體管有望推動(dòng)下一代電子技術(shù)的發(fā)展，深刻改變?nèi)藗兊纳睢?br /> |
