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Eways-SiC的個人空間
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自主研發(fā)設(shè)計碳化硅MOS管芯片、SiC MOS晶圓die與 SiC Module功率模塊。通過AEC-Q101和AQG324認證。擁有全自主知識產(chǎn)權(quán),已申請40項專利技術(shù),采用6英寸技術(shù)已量產(chǎn)20余款650V~3300V全系列SiC MOSFET產(chǎn)品。
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爬山、乒乓球
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SiC MOSFET、Si CoolMOS 和 IGBT的特性詳細對比
使用碳化硅進行雙向車載充電機OBC設(shè)計
單芯100A SiC二極管實現(xiàn)百安通流,直擊多管并聯(lián)核心痛點,打造更簡潔、更穩(wěn)健的高功率系統(tǒng)。
碳化硅(SiC)模塊國產(chǎn)化1700V的八種封裝應(yīng)對新能源800V及更高電壓系統(tǒng)
SiC 器件的車載氫燃料電池 DC/DC 變換器設(shè)計
碳化硅MOS四開關(guān) Buck-Boost DC-DC 變換器
選好柵極驅(qū)動器SiC MOSFET高效又安全
碳化硅高速電機控制器設(shè)計及效能分析
國產(chǎn)碳化硅功率模塊封裝、電路拓撲綜述
全新LPD碳化硅三相全橋模塊2.5nH超低電感驚艷亮相
日志
碳化硅MOS電壓650V-3300V,電流1A-200A 。
2023-04-17
Si CMOS 管國產(chǎn)實現(xiàn) 電壓 650V-3300V, 電流 5A-150A 。https://pan.baidu.com/s/1coNcn5QTm2JBVLch-Nk4TA 提取碼52x5 碳化硅(SiC ...
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