全新LPD碳化硅三相全橋模塊2.5nH超低電感驚艷亮相:該模塊采用創(chuàng)新封裝和三相全橋設計，內置1200V碳化硅MOSFET和熱敏電阻，雜散電感低至2.5nH，工作安全穩(wěn)定。工作電源電壓可達900V-1000V，工作頻率可達30kHz，輸出功率可達300kW。LPD模塊具有耐久、安全的性能優(yōu)勢，性價比超國外產品，適用于電動汽車、氫能源汽車、高速電機驅動、光伏風能發(fā)電等領域。
碳化硅MOS管-全碳SiC模塊產品應用、驅動、系統(tǒng)方案詳解2024.pdf
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SiC MOSFET作為第三代功率半導體器件，以其阻斷電壓高、工作頻率高，耐高溫能力強、通態(tài)電阻低和開關損耗小等特點成為當前最具市場前景的半導體產品之一，正廣泛應用于新能源汽車、光伏逆變器、無線電能傳輸?shù)阮I域。 |
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| 碳化硅模塊（全碳SiC功率模組）國產SiC Module - 工業(yè)/測控 http://www.54549.cn/thread-842540-1-1.html |
| 碳化硅MOSFET驅動設計合訂本https://pan.baidu.com/s/1OuA0xE_3WQ7RTXWszbFrug 提取碼8gxs |
基于雙脈沖實驗的Sic與IGBT特性對比研究 https://mp.weixin.qq.com/s/TA0FoJiKuKr-BhN_-cvlCw  |
| 碳化硅MOS驅動設計及特點(SiC MOSFET) -知乎https://zhuanlan.zhihu.com/p/657391957 |
| 碳化硅 MOS驅動參考圖及柵極驅動器（SiC第三代半導體） - 知乎 https://zhuanlan.zhihu.com/p/654117118 |
