|
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道稱，東芝公布了一項(xiàng)新計(jì)劃，開發(fā)25納米工藝的閃存芯片。 東芝公司今年計(jì)劃耗資150億日元(約合1.6億美元)興建一條試驗(yàn)生產(chǎn)線，生產(chǎn)小于25納米制程的NAND閃存芯片，并希望從2012年起發(fā)售25納米閃存芯片。 
目前東芝生產(chǎn)的NAND閃存是采用32與43納米技術(shù)，主要應(yīng)用于手機(jī)及數(shù)字相機(jī)等電子消費(fèi)產(chǎn)品。為生產(chǎn)新的25納米制程以下的芯片，需使用較短光波的極紫外光微影(EUV lithography)技術(shù)，因此，東芝也將進(jìn)行相應(yīng)的技術(shù)升級(jí)。目前，東芝已向荷蘭半導(dǎo)體微影系統(tǒng)大廠ASML訂購(gòu)設(shè)備，預(yù)計(jì)在今年夏天試驗(yàn)投產(chǎn)。消息一經(jīng)公布，東芝在股市中漲幅達(dá)3.5%，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過同類電氣機(jī)器指數(shù)0.8%的漲幅。 而東芝與其它半導(dǎo)體廠商20納米制程閃存的開發(fā)，也可望于未來兩年內(nèi)開始量產(chǎn)。 |
