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下一代FD-SOI制程將跳過20nm直沖14nm

發(fā)布時(shí)間:2012-12-17 09:05    發(fā)布者:李寬
關(guān)鍵詞: SOI , 20nm , 14nm
在一場(chǎng)近日于美國(guó)舊金山舉行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)技術(shù)研討會(huì)上,產(chǎn)業(yè)組織SOI Consortium所展示的文件顯示, FD-SOI 制程技術(shù)藍(lán)圖現(xiàn)在直接跳過了20nm節(jié)點(diǎn),直接往14nm、接著是10nm發(fā)展。

根據(jù)SOI Consortium執(zhí)行總監(jiān)Horacio Mendez在該場(chǎng)會(huì)議上展示的投影片與評(píng)論指出,14nm FD-SOI技術(shù)問世的時(shí)間點(diǎn)約與英特爾 (Intel)的14nmFinFET相當(dāng),而兩者的性能表現(xiàn)差不多,F(xiàn)D-SOI的成本則應(yīng)該會(huì)比FinFET低得多。

意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,ST )前段制程部門執(zhí)行副總裁Joel Hartmann則在同一場(chǎng)由SOI Consortium舉辦的研討會(huì)上,展示該公司FD-SOI制程將由28nm──2012下半年量產(chǎn)──跳過20nm,直接前進(jìn)至14nm、然后10nm的技術(shù)藍(lán)圖。先前ST曾指出,該公司將在2012年7月推出28nmFD-SOI制程原型,然后會(huì)在2013年第三季推出20nmFD-SOI制程原型。

這意味著FD-SOI技術(shù)陣營(yíng)已經(jīng)改變了對(duì)20nm節(jié)點(diǎn)的策略,因此下一代的FD-SOI技術(shù)將與英特爾的14nmFinFET制程,以及包括臺(tái)積電(TSMC)、Globalfoundries等晶圓代工廠所提供的其他FinFET制程,在同一節(jié)點(diǎn)上競(jìng)爭(zhēng)。

Hartmann也提供了以ST的28nmFD-SOI制程與ST-Ericsson多核心ModAp NovaThor處理器搭配,所量測(cè)到的最新性能結(jié)果;宣稱ST的28nm閘極優(yōu)先(gate-first) FD -SOI制程與28nmbulk CMOS制程相較,更能達(dá)到低功耗以及高性能。

SOI Consortium 的Mendez展示的技術(shù)藍(lán)圖顯示,F(xiàn)D-SOI現(xiàn)在包括預(yù)計(jì)2016年問世的10nm制程節(jié)點(diǎn);而這也會(huì)是FD-SOI技術(shù)被引介為FinFET制程解決方案選項(xiàng)之一的節(jié)點(diǎn)。

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