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華潤(rùn)上華第三代超高壓700V BCD系列工藝開發(fā)成功

發(fā)布時(shí)間:2013-5-16 10:04    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 華潤(rùn) , BCD , DMOS
華潤(rùn)微電子有限公司旗下的華潤(rùn)上華科技有限公司(“華潤(rùn)上華”)近日宣布其第三代超高壓700V BCD系列工藝開放代工平臺(tái)開發(fā)成功。該工藝平臺(tái)自華潤(rùn)上華第二代硅基700V BCD工藝基礎(chǔ)上自主開發(fā)而來(lái)。通過工藝技術(shù)的持續(xù)改進(jìn),該工藝不僅控制電路部分的設(shè)計(jì)規(guī)則比第二代硅基700V BCD工藝縮小15%,其最核心的700V DMOS器件特征導(dǎo)通電阻也已達(dá)到國(guó)際上領(lǐng)先的19 ohm.mm2,且700V DMOS器件的ESD 和UIS 等關(guān)鍵性能比前一代工藝有大幅度提升,可用于制造更高功率的LED 照明驅(qū)動(dòng)芯片和AC-DC 電源轉(zhuǎn)換芯片。

華潤(rùn)上華于2007年在國(guó)內(nèi)獨(dú)家推出第一代硅基700V CDMOS工藝,率先實(shí)現(xiàn)了低壓CMOS控制電路與700V 功率DMOS的單片集成,擁有國(guó)際先進(jìn)水平。華潤(rùn)上華利用此技術(shù)與客戶合作開發(fā)的電源轉(zhuǎn)換芯片,在國(guó)內(nèi)小家電市場(chǎng)占有最大市占率,該產(chǎn)品還獲得江蘇省科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)和國(guó)家技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng);谠诔邏汗に囶I(lǐng)域長(zhǎng)期積累的卓越研發(fā)能力和量產(chǎn)能力,華潤(rùn)上華又于2010年在國(guó)內(nèi)首家推出第二代硅基700V BCD工藝,在LED 照明驅(qū)動(dòng)、AC-DC電源轉(zhuǎn)換等應(yīng)用方面與多家客戶合作成功,在2011年底實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)。此次第三代超高壓700V BCD系列工藝開發(fā)成功,更進(jìn)一步提升了華潤(rùn)上華在BCD工藝平臺(tái)領(lǐng)域的核心競(jìng)爭(zhēng)力。

華潤(rùn)上華的BCD工藝平臺(tái)電壓涵蓋1.8V到700V,線寬從1µm延伸至0.18µm,可滿足高電壓、高精度、高密度不同應(yīng)用的全方位需求。未來(lái),華潤(rùn)上華將持續(xù)加大在超高壓BCD工藝方面的投入,正在開發(fā)中的下一代工藝將采用SOI技術(shù),引入Trench及埋氧層隔離技術(shù),可進(jìn)一步滿足橋式驅(qū)動(dòng)電路以及單片式集成小功率IPM模塊等綠色電源IC方面的需求。

由于能源危機(jī)的影響,節(jié)能減排一直是全球共同關(guān)注的訴求,節(jié)能環(huán)保也被列入中國(guó)七大戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)之一。700V BCD工藝由于其特性將在其中發(fā)揮越來(lái)越大的作用,滿足節(jié)能新興應(yīng)用特別是高壓功率的需求,未來(lái)的市場(chǎng)前景將更為廣闊。該工藝所支持的LED 照明驅(qū)動(dòng)應(yīng)用市場(chǎng)在中國(guó)就頗具潛力,根據(jù)CCID數(shù)據(jù)顯示,2012年中國(guó)半導(dǎo)體照明市場(chǎng)規(guī)模達(dá)303億元,同比增長(zhǎng)43.3%,開始由市場(chǎng)導(dǎo)入期向快速發(fā)展期轉(zhuǎn)型,中國(guó)半導(dǎo)體照明的市場(chǎng)滲透率目前僅7%左右,傳統(tǒng)照明可替代市場(chǎng)規(guī)模巨大。
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