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IR 推出1200V Gen8 IGBT系列,提升工業(yè)應(yīng)用的基準(zhǔn)效率和耐用性

發(fā)布時間:2014-11-18 15:45    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: IGBT , 1200V
國際整流器公司  (International Rectifier,簡稱IR) 推出新一代絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 技術(shù)平臺。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT平臺適用于符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的TO-247封裝,并采用IR新一代溝道柵極場截止技術(shù),為工業(yè)及節(jié)能應(yīng)用提供卓越性能。



全新的Gen8組件提供從8A到高達60A的電流額定值,加上1.7V典型VCE(ON) 和10µs短路額定值,能夠減少功耗,有效增加功率密度并帶來卓越的耐用性。

IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“IR通過開發(fā)全新基準(zhǔn)技術(shù)及頂尖的IGBT硅平臺,彰顯其數(shù)十年來致力提升功率電子技術(shù)的承諾。我們期望為所有電動馬達實現(xiàn)百分百變頻,從而更有效地使用電能,并且綠化環(huán)境。”

新技術(shù)為電機驅(qū)動應(yīng)用提供更理想的軟關(guān)斷功能,通過盡量降低dv/dt來減少電磁干擾和過壓情況,有助于提升可靠性及耐用性。該平臺的參數(shù)分布狹窄,在進行多個IGBT并聯(lián)時便可帶來出色的電流分配。薄晶圓技術(shù)則改善了熱阻,還可達到175°C的最高結(jié)溫。

潘大偉指出:“IR的Gen8 IGBT平臺旨在為工業(yè)應(yīng)用提供卓越的技術(shù)。該IGBT平臺憑借頂尖的VCE(ON)、卓越的耐用性及頂級的開關(guān)功能,使工業(yè)市場所面臨的難題迎刃而解。”

規(guī)格
器件編號封裝BV (V)I(nom) (A)VCE(ON) (V)Tsc (µs)
IRG8P08N120KDTO247120081.710
IRG8P15N120KDTO2471200151.710
IRG8P25N120KDTO2471200251.710
IRG8P40N120KDTO2471200401.710
IRG8P50N120KDTO2471200501.710
IRG8P60N120KDTO2471200601.710

產(chǎn)品現(xiàn)正接受批量訂單。新器件符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS)。更多信息,請瀏覽IR的網(wǎng)站http://www.irf.com。

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