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600V和650V IGBT具有低 VCE(ON) 、快速和軟開(kāi)關(guān)特性，可用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、UPS、太陽(yáng)能電池和焊接逆變器 Vishay發(fā)布采用Punch Through(PT)和Field Stop(FS)技術(shù)的新Trench IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)平臺(tái)。Vishay Semiconductors推出的這些器件可提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)、UPS、太陽(yáng)能逆變器和焊接設(shè)備逆變器的效率，以裸片方式供貨，集電極到發(fā)射極的電壓較低，能夠快速和軟導(dǎo)通及關(guān)斷，從而降低傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗，650V的擊穿電壓提高了可靠性。 
今天發(fā)布的IGBT芯片提供多種裸片尺寸，額定集電極電流從30A到240A，擊穿電壓為600V～650V，包括Trench PT和FS器件，每種器件都提供已切割或未切割的裸片。 Trench PT器件具有極低的傳導(dǎo)損耗，負(fù)溫度系數(shù)使器件在50%額定電流下集電極到發(fā)射極電壓低至1.07V，在滿額定電流和+125℃下為1.34V。通過(guò)采用Trench結(jié)構(gòu)，IGBT的尺寸比平面工藝的器件小，具有更高的電力密度和更低的熱阻，而不會(huì)損失性能和可靠性。Trench PT IGBT適合頻率小于1kHz的低開(kāi)關(guān)頻率。 在滿電流和25℃下，Vishay的Trench FS器件的集電極到發(fā)射極飽和電壓只有1.45V，可減少傳導(dǎo)損耗。器件同時(shí)具有快速和軟開(kāi)關(guān)特性，既減小功耗，又降低導(dǎo)通和關(guān)斷損耗。另外，器件的軟關(guān)斷能夠降低峰值電壓，擴(kuò)大功率等級(jí)，簡(jiǎn)化電路布局。FS IGBT的工作溫度達(dá)+175℃，能實(shí)現(xiàn)更健壯的設(shè)計(jì)，在高溫(150℃)下的短路額定時(shí)間只有6μs，使器件在極重負(fù)載和失效情況下也能安全和可靠地工作。器件的飽和電壓具有較低的正溫度系數(shù)，可簡(jiǎn)化并聯(lián)設(shè)計(jì)。 器件規(guī)格表：
這些器件適合用在電源模塊里，搭配Vishay的新型FRED Pt Gen 4超快軟恢復(fù)二極管一起使用，可以實(shí)現(xiàn)非常低的EMI，最高工作溫度達(dá)+175℃，在單相和三相逆變器、功率因數(shù)校正(PFC)電路，以及全橋及半橋DC/DC轉(zhuǎn)換器里可以即插即用，十分可靠。 理想組合 - Trench IGBT加FRED Pt Gen4二極管
上述IGBT和續(xù)流二極管現(xiàn)可訂購(gòu)樣品，用于客戶評(píng)估和認(rèn)證，將在2015年完成量產(chǎn)爬坡。大宗訂貨的供貨周期為六周到八周�？砂l(fā)郵件到die-wafer@vishay.com，獲取更多信息。 |
