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意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）推出新款的集成微波寬帶射頻合成器 STuW81300單片，可覆蓋1.925GHz至16GHz的射頻頻段，創(chuàng)下IC市場上最寬頻帶和最高頻率的記錄。與基于III-V技術(shù)的低集成度的傳統(tǒng)微波射頻合成器相比，STuW81300采用意法半導體的具有業(yè)界領(lǐng)先性能的BiCMOS SiGe集成制造工藝，可降低組件成本，實現(xiàn)經(jīng)濟效益更高的多用途射頻架構(gòu)。 STuW81300整合了N型分頻鎖相環(huán)(PLL，phase-locked-loop)內(nèi)核，以及低器噪寬帶壓控振蕩器(VCO，voltage-controlled oscillators)和穩(wěn)壓器。此外，STuW81300還提供各種可編程硬件選項，以滿足最新和未來射頻/微波應用需求，其中包括射頻通信、衛(wèi)星通信、基站、測試測量設(shè)備。 為支撐微波應用市場迅猛擴張，微波頻段（6GHz以上）的使用規(guī)模正在穩(wěn)步增長，市場需要成本結(jié)構(gòu)優(yōu)化的能夠開拓新市場的新一代射頻設(shè)備。將分立的砷化鎵（GaAs，gallium arsenide)架構(gòu)集成到寬帶SiGe芯片內(nèi)，可滿足這個需求。 STuW81300的主要技術(shù)特性有: • 最寬的工作頻段，1.925GHz-16GHz(可分配給兩個射頻輸出) • 內(nèi)部寬帶匹配射頻輸出功率：+6dBm@6GHz; +4dBm@12GHz • 倍頻輸出基本VCO抑制高于20dB • -227dBc/Hz歸一化帶內(nèi)相噪底 • VCO相位噪聲(6.0GHz)：-131dBc/Hz @ 1MHz頻偏 • 噪底(6.0GHz):-158dBc/Hz • VCO相位噪聲(12.0GHz)：-125dBc/Hz @ 1MHz頻偏 • 噪底(12.0GHz):-154dBc/Hz • 0.13ps典型RMS頻率抖動 作為意法半導體的獲得市場成功的STW81200和STW8110x產(chǎn)品系列的升級換代產(chǎn)品，新射頻合成器提供高性能和高靈活性，可以同時在同一電路板設(shè)計上支持多頻帶和多射頻標準。例如在衛(wèi)星通信應用中，STuW81300可直接用作本機振蕩器，在電路板連接一個倍頻器，可調(diào)制解調(diào)Ku頻段信號或者Ka頻段信號。在其它應用中，STuW81300還能完全驅(qū)動外部壓控振蕩器(例如GaAs)。 5V或3.6V非穩(wěn)壓單電源讓STW81300在市場上獨一無二，結(jié)合優(yōu)化的功耗和性能，使其應用范圍從傳統(tǒng)市電供電基礎(chǔ)設(shè)施擴至低功耗應用。 意法半導體目前已開始提供STuW81300測試樣片，并獲得多家客戶采用，預計2016將實現(xiàn)量產(chǎn)。意法半導體還可提供評估套件和6x6mm四邊扁平封裝的樣片。評估工具包括STWPLLSim軟件工具，讓開發(fā)人員能夠按照項目實際要求快速且準確地修改應用設(shè)計。 更多詳情可瀏覽：www.st.com/stuw81300-pr |
