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Vishay發(fā)布2016年“Super 12”明星精選產(chǎn)品

發(fā)布時(shí)間:2016-3-9 11:42    發(fā)布者:eechina
創(chuàng)新的元器件具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的性能指標(biāo),可用于各種應(yīng)用

Vishay Intertechnology, Inc.公布了2016年的“Super 12”特色產(chǎn)品。每年,Vishay都會(huì)挑出12款半導(dǎo)體器件和無源元件,這些器件采用新的和改進(jìn)后的技術(shù),能夠顯著提高終端產(chǎn)品和系統(tǒng)性能。Vishay的Super 12明星精選產(chǎn)品代表了公司在半導(dǎo)體和無源器件領(lǐng)域的領(lǐng)先水平,讓人能夠從中管窺Vishay寬泛的產(chǎn)品組合。

2016年的Super 12明星精選產(chǎn)品如下:

Vishay T58系列vPolyTan固鉭表面貼裝片式電容—T58系列采用聚合物鉭技術(shù)和Vishay的高效MicroTan封裝,實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)最好的容量-電壓等級,有6個(gè)模塑外形—包括小尺寸M0(1608-10)外形的47μF-6.3V產(chǎn)品,BB(3528-20)尺寸的220μF-10V和330μF-6.3V產(chǎn)品—具有更高的容積效率,可用于手持式消費(fèi)電子產(chǎn)品。

Vishay Semiconductors VEML6075 UVA和UVB光傳感器—VEML6075采用小尺寸2.0mm x 1.25mm x 1.0mm封裝,在可穿戴設(shè)備、智能手機(jī)和粒子探測器中能節(jié)省空間,是業(yè)內(nèi)首顆帶獨(dú)立通道輸出,可測量真實(shí)UV指數(shù)的UVA和UVB光傳感器。

Vishay BCcomponents 220 ELDC ENYCAP系列雙層儲(chǔ)能電容器—220 ELDC ENYCAP系列器件可用于能量采集、備用電源和UPS電源應(yīng)用,功率密度高達(dá)0.041Wh,在2.7V下的電容值從15F到40F,使用小型16mm x 20mm 至18mm x 31mm封裝。

Vishay General Semiconductor TPC11CA~TPC36CA表面貼裝PAR瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)—這些器件通過AEC-Q101認(rèn)證,是業(yè)內(nèi)首批峰值功率耗散達(dá)到1500W的雙向TVS,使用高度1.1mm的小尺寸SMPC(TO-277A)封裝。器件的工作結(jié)溫達(dá)到+175℃,滿足汽車、工業(yè)和通信應(yīng)用對高可靠性的要求。

Vishay Dale Thin Film PCAN系列高功率薄膜片式電阻—PCAN電阻是在氮化鋁襯底上制造的,額定功率達(dá)到6W,阻值從2Ω到30kΩ,外形尺寸為1206和2512。電阻適合用在工業(yè)、國防和醫(yī)療應(yīng)用中的緩沖電路和載荷、柵極負(fù)載和放大器端接電阻。

Vishay Siliconix SUM70040E/SUP70040E 100V N溝道MOSFET—ThunderFET功率MOSFET的最大導(dǎo)通電阻為4mΩ,比前一代器件的每平方毫米的導(dǎo)通電阻低60%,在從太陽能微逆變器電動(dòng)汽車充電站的各種應(yīng)用中能大大降低功率損耗,提高效率。

Vishay Sfernice PLA51中功率平面變壓器—PLA51平面變壓器的功率從1kW到3kW,尺寸為70mm x 53mm x 22mm,提供超過99%的高效率,典型應(yīng)用為DC/DC功率轉(zhuǎn)換器、電動(dòng)汽車的車載充電器、電源控制冷卻單元和太陽能逆變器。

Vishay Siliconix SiC530 VRPower集成式DrMOS功率級—SiC530將驅(qū)動(dòng)、高邊及低邊MOSFET組合在3.5mm x 4.5mm的PowerPAK封裝里,占位面積比分立式方案小45%,但卻具有連續(xù)電流達(dá)30A,峰值電流40A的高功率密度。

Vishay Draloric TNPV系列高壓薄膜片式電阻—TNPV薄膜片式電阻是業(yè)內(nèi)首個(gè)工作電壓達(dá)到1000V的此類器件,能替代更大的電阻和近似外形尺寸的多顆器件,來節(jié)省電路板空間,降低成本。這些電阻具有低電壓系數(shù)、嚴(yán)格的公差和低溫度系數(shù),可用于精確電壓測量。

Vishay Siliconix SiHH26N60E/600V E系列功率MOSFET—600V MOSFET采用小尺寸PowerPAK 8 x 8封裝,比TO-263(D2PAK)封裝的器件小57%,高度只有其1/5。另外,MOSFET的Kelvin源連接通過減少柵極接地回路,提高了性能。

Vishay Dale IHLD系列超薄、大電流雙片電感
—IHLD系列器件在汽車和商用D類放大器中能節(jié)省空間,兩個(gè)IHLP型電感器垂直地放在3232或4032封裝內(nèi)。器件具有軟飽和特性,兩個(gè)相鄰電感器之間實(shí)現(xiàn)低耦合,失真少,可輸出高質(zhì)量的音頻。

Vishay General Semiconductor V35PWxxx/V40PWxxx TMBS整流器—整流器的電流密度達(dá)到40A,采用高度1.3mm的表面貼裝SlimDPAK封裝。V35PWxxx / V40PWxxx比DPAK封裝薄57%,散熱面積多14%,熱性能更好。

Vishay的Super 12明星精選產(chǎn)品的更多信息,請?jiān)L問http://www.vishay.com/landingpage/super12/2016/。

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