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瑞薩電子與臺積電共同宣布，雙方合作開發(fā)28納米嵌入式閃存(eFlash)制程技術(shù)，以生產(chǎn)支持新一代環(huán)保汽車與自動駕駛汽車的微控制器(MCU)。采用此全新28納米工藝技術(shù)生產(chǎn)的車用MCU預計于2017年提供樣品，2020年開始量產(chǎn)。 瑞薩與臺積電自90納米技術(shù)時代便開始密切合作開發(fā)有片上閃存的MCU產(chǎn)品。為了使未來的環(huán)保汽車與自動駕駛汽車更節(jié)能且更可靠，雙方在合作40納米MCU平臺并生產(chǎn)四年之后，擴大合作至28納米MCU的開發(fā)。通過此次合作，瑞薩具備高可靠性及高速優(yōu)勢的MONOSeFlash技術(shù)，將結(jié)合臺積電高性能、低功耗的28納米high-k絕緣層+金屬柵極(HKMG)工藝技術(shù)，生產(chǎn)全球頂尖的車用MCU產(chǎn)品，以支持廣泛的應用，例如自動駕駛汽車的傳感器控制、電子控制單元(ECU)之間的協(xié)調(diào)控制、環(huán)保汽車的高效率燃油引擎控制、以及電動車的高效率電機變頻器控制。 為了滿足未來自動駕駛汽車對于高效能與安全性的嚴格要求，新一代MCU利用3D雷達監(jiān)測車輛四周環(huán)境，以實現(xiàn)高精度的感測功能，同時可整合多個傳感器的數(shù)據(jù)，并且具備自動駕駛操作時所需的實時判斷處理能力。能夠安全控制自動駕駛功能的ECU亦需要新一代的MCU快速處理復雜的控制任務(包括失效穩(wěn)定運行能力、安全性、以及對多個ECU之間協(xié)調(diào)控制的支持)，并提高整體系統(tǒng)的能源效率及功能安全性。同時，為了符合更嚴格的排放法規(guī)，新一代環(huán)保汽車的引擎還需要強大的運算性能來控制新的燃油系統(tǒng)，它也需要強大且大容量的片上閃存來容納更大的固件程序。由于市場對環(huán)保的要求越來越高，對電動車(EV)與充電式油電混合車(PHV)也要求具備更長的續(xù)航，這就要求MCU具備更高的運算效能及更高的功能集成，從而控制效率更高、體積更小的電機變頻器。大容量閃存亦不可或缺，能夠更精確地支持各國環(huán)境法規(guī)與標準，并得以通過空中傳輸(OTA)的方式無線更新控制程序。此外，具備優(yōu)異效能與絕佳安全性的MCU嵌入式閃存技術(shù)對于打造安全社會的新一代控制技術(shù)來說也是必須的，適用領(lǐng)域包括工業(yè)4.0等工業(yè)領(lǐng)域以及社會基礎(chǔ)建設領(lǐng)域。 通過此項合作所開發(fā)的28納米eFlash工藝技術(shù)，MCU的程序內(nèi)存容量最高將可比目前的40納米技術(shù)多出四倍以上，效能也將提升超過四倍，滿足新一代車用運算的需求。此全新MCU產(chǎn)品的其他強化特點還包括了使用多CPU核、更先進的安全性，并且支持多種接口標準。 瑞薩執(zhí)行副總裁大村隆司表示：“汽車產(chǎn)業(yè)正經(jīng)歷重大轉(zhuǎn)變，新一代的環(huán)保汽車及自動駕駛車即將問世，而創(chuàng)新的半導體技術(shù)是加速新一代汽車開發(fā)的重要關(guān)鍵。我相信通過與臺積電針對新一代MCU的技術(shù)合作，未來將能夠提供使客戶安心的穩(wěn)定供貨。而我們也將致力于建構(gòu)MCU的生態(tài)系統(tǒng)，并持續(xù)扮演好領(lǐng)導廠商的角色，協(xié)助推動MCU產(chǎn)業(yè)往前邁進。” 臺積電業(yè)務開發(fā)副總經(jīng)理金平中博士表示：“與瑞薩合作履行了我們提供具有競爭力的技術(shù)為客戶產(chǎn)品創(chuàng)造最大價值的承諾。借由臺積電28納米高性能且低能耗的技術(shù)，我們相信將能夠展現(xiàn)優(yōu)化的先進技術(shù)，以滿足新一代汽車產(chǎn)品對創(chuàng)新的需求，并在效能與成本之間為客戶取得極具競爭優(yōu)勢的地位。” |
