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來源：中國國防科技信息網(wǎng) 伊利諾伊大學(xué)研究人員開發(fā)出新的氮化鎵（GaN）熱控制方法。 GaN晶體管比傳統(tǒng)的硅晶體管具有更高的功率密度，可以在較高溫度下運行（500℃以下），但像所有半導(dǎo)體那樣，GaN晶體管也產(chǎn)生過多的熱量，這會限制他們的性能。 基于散熱器和風(fēng)扇的冷卻方法增加成本和體積。現(xiàn)在，一個來自伊利諾伊大學(xué)微納米技術(shù)實驗室的研究團(tuán)隊創(chuàng)造了一種新的方法，他們聲稱該方法簡單而且低成本。 采用計算機(jī)輔助設(shè)計，坎·拜拉姆的團(tuán)隊已經(jīng)證明，GaN層的厚度在過熱中起很大作用，影響設(shè)備的熱預(yù)期和最終性能。 “越薄、越冷，” 拜拉姆說，“傳統(tǒng)的GaN晶體管沉積在厚襯底上（例如硅、碳化硅），但這不是理想的熱導(dǎo)體。拜拉姆指出，挑戰(zhàn)在于GaN在傳統(tǒng)基板上外延不匹配，這導(dǎo)致數(shù)十微米厚的裝置，并且在多數(shù)情況下達(dá)到數(shù)百微米。 “這對散熱來說影響極差，考慮到熱源隨著柵極縮小在亞微米級，” 拜拉姆說。使用新穎的半導(dǎo)體釋放方法，如智能切割和剝落，一個可以從其余的外延和厚的基板釋放的GaN晶體管，就可以從改進(jìn)熱控制中獲益。 “通過細(xì)化設(shè)備層，可以降低大功率GaN晶體管50攝氏度的熱點溫度�！� 拜拉姆說。 該研究領(lǐng)導(dǎo)者柯洪·帕克認(rèn)為設(shè)備厚度有一個極限。“如果你減少了太多，就會得到反效果，實際上增加了設(shè)備內(nèi)部的溫度，”帕克說。對典型器件而言，最佳厚度證明是一微米左右。 他們說，這項工作是很重要的，因為它提供了GaN基晶體管的熱控制設(shè)計指導(dǎo)方針。最優(yōu)層尺寸與設(shè)備的界面熱阻（TBR）緊密相關(guān)，TBR是GaN外延層和其他的接口存在的一個條件。 帕克表示，“我們根據(jù)TBR的不同價值確定了減少GaN晶體管熱點溫度的最佳厚度。此外，層的大小取決于設(shè)備將如何使用。如果它是為更高的功率應(yīng)用，那么理想情況你需要更薄，亞微米厚的層�！� 伊利諾斯團(tuán)隊下一步是在襯底上實際制造GaN晶體管之前，研究 GaN 層的電學(xué)性質(zhì)，諸如工程鉆石和外延石墨烯。 伊利諾斯的研究由空軍科學(xué)研究局（AFOSR）青年研究項目批準(zhǔn)號：FA9550-16-1-0224資助；結(jié)果發(fā)表在2016年10月10日應(yīng)用物理快報B1版面。 |
