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英飛凌推出新一代超結MOSFET,欲樹立硬開關應用基準

發(fā)布時間:2009-6-23 15:24    發(fā)布者:admin
關鍵詞: MOSFET , 基準 , 開關 , 應用 , 英飛凌

英飛凌日前在深圳宣布推出下一代600V MOSFET產品 ― CoolMOS C6系列。600V C6系列融合了C3和CP兩個產品系列的優(yōu)勢,可降低設計難度,適用于諸如PC、筆記本電腦、上網(wǎng)本或手機、照明(高壓氣體放電燈)以及LCD電視和游戲機等消費應用的電源或適配器,甚至是太陽能電源市場。

英飛凌全球開關電源高級市場經(jīng)理Thomas Schmidt介紹,C6在輕載條件下具有非常好的效率,由于具有比C3更低的導通電阻、更小的輸出電容、更穩(wěn)健的體二極管以及更小的反向恢復電荷,使其在成本、開關損耗、質量保證等方面更有競爭優(yōu)勢。Thomas Schmidt強調,CoolMOS C6系列將成為硬開關應用的基準。另一方面,存儲在輸出電容中的極低電能和出類拔萃的硬換流耐受性,使C6器件成為諧振開關產品的理想選擇。因此,C6的面市也將使C3在未來2至3年內逐漸退市。

但由于500/600V CP系列可滿足服務器、電信電源等應用更低開關損耗和更低導通電阻的需求,因此英飛凌是希望C6未來與CP系列在不同應用領域的高壓MOSFET市場上兩頭作戰(zhàn)。電源廠商可受益于超結CP 系列的優(yōu)勢——包括極低電容損耗和極低單位面積導通電阻等,設計出更高效、更緊湊、更輕更高散熱效率的電源產品。與此同時,開關控制性能和抗電路板寄生電感和電容特性性能也得到大幅提升。相對于CP系列的設計而言,CoolMOS C6簡化了PCB系統(tǒng)布局。具體而言,這意味著在CoolMOS C6系列內,柵極電荷、電壓/電流斜率和內部柵極電阻達到了優(yōu)化和諧狀態(tài),即使低至零歐姆的柵極電阻,也不會產生過高的電壓或電流斜率。而C6器件具備出色的體二極管硬換流抗受能力,因此可避免使用昂貴的快速體二極管組件,也可使諸如PFC(功率因數(shù)校正)級或PWM(脈寬調制)級等功率轉換產品的功效得到大幅提升。

C6系列是英飛凌推出的第五代CoolMOS超結MOSFET,它同時擁有包括超低單位面積導通電阻在內的補償器件的優(yōu)勢。據(jù)了解,超結(superjunction)技術因為在導通時可使載流子更快速流動,因此比諸如IR HEXFET等結構具有更高效率。而目前在超結功率器件領域的玩家還包括ST、飛兆和日本東芝。Thomas Schmidt自信地表示,英飛凌從1990年就已開始提供其第一代超結功率器件,因此在超結功率技術上具有領先優(yōu)勢,他認為其他廠商在超結功率產品的未來研發(fā)過程中一定會重復英飛凌所遇到過的困難。

另外,業(yè)界對GaN功率市場摩拳擦掌,但《電子工程專輯》記者了解到英飛凌未在GaN功率器件上有任何動作。Thomas Schmidt對此解釋道,英飛凌其實也對GaN技術非常關注,因為IR承諾GaN功率技術能大幅度降低功率器件的成本,只可惜相關產品的面市一再拖延,因此對GaN功率技術目前還處于觀望期。

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