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2010/09/15 00:00 凸版印刷宣布已經(jīng)建立了面向22nm及20nm工藝的ArF掩模供應(yīng)體制。在該公司的朝霞光掩模工廠內(nèi)，構(gòu)建了22nm/20nm用的ArF掩模生產(chǎn)線，提供給半導(dǎo)體廠家的試制及量產(chǎn)用途。該技術(shù)是與美國IBM聯(lián)合開發(fā)的。 此次開發(fā)的掩模技術(shù)工藝為了使用ArF曝光技術(shù)來支持20nm工藝，主要采用了以下三項掩模技術(shù)。第一，開發(fā)出了可支持ArF曝光微細工藝所需的二次圖形（DP）和SMO（Source Mask Optimization）掩模技術(shù)。第二，導(dǎo)入名為薄膜OMOG（opaque MoSi on glass）的新型掩模材料，提高了微細圖案的分辨率、尺寸的均勻性和掩模的平坦度，降低了工藝造成的位置精度劣化，提高了掩模耐清洗性等。第三，減小了掩模的厚度。隨著工藝的微細化，電磁場偏置（electromagnetic field bias）等起因于掩模厚度的影響逐漸顯現(xiàn)。此次通過減薄薄膜厚度，減小了這些不良影響。 運用此次的掩模技術(shù)有望緩解掩模設(shè)計中的限制以及提高晶圓處理工序的生產(chǎn)效率，“不僅可以提高掩模自身性能，而且可以通過與晶圓處理工序中轉(zhuǎn)印時的優(yōu)點形成的組合效果，實現(xiàn)優(yōu)異的總體光刻解決方案”（凸版印刷）。該技術(shù)的具體細節(jié)預(yù)定在掩模相關(guān)國際會議“2010 SPIE Photomask Technology Conference”（9月13～16日，美國蒙特里）上發(fā)布。(記者：長廣 恭明) |
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Information Network：今年掩模業(yè)可能零增長 出自：EE Times 編譯：莫大康 SEMI China 顧問 按市場調(diào)研公司Information Network的看法，全球掩模制造業(yè)正面臨兩難境地，有好消息，也有不好消息。 今年上半年掩模制造業(yè)熱，下半年可能冷，最終結(jié)果是零增長。 Information Network總裁Robert Castellano在它的報告中講到，2010年對于掩模制造業(yè)是一個在歷史上讓人難忘的年份，上半年增長25％，而下半年下降25％，所以全年接近另增長。 按該公司預(yù)測2010年商業(yè)的掩模市場銷售額達16億美元，再加上另外的9億美元銷售額(capitive sales，連帶銷售額)。 2009年完成的先進一流IC產(chǎn)品設(shè)計，它們的掩模在2010年上半年加工。由于全球宏觀經(jīng)濟軟弱，所以預(yù)計2011年半導(dǎo)體產(chǎn)能不會擴充太多。該公司己通過工業(yè)領(lǐng)先指數(shù)預(yù)測到，明年半導(dǎo)體有溫和的增長，從亮點看，28nm設(shè)計正在進行，將推動2011年掩模工業(yè)增長。 一套65nm掩模包括有40層，其中有5層是關(guān)鍵criticle(45nm設(shè)計規(guī)則)及15層是一般subcriticle(90nm設(shè)計規(guī)則)。一套65nm掩模的價格要比90nm貴1.8倍，而一套45nm掩模的成本又比65nm高出2.2倍。因此2010年上半年掩模業(yè)銷售額上升是由于高價格掩模所推動。 |
