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三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒 容量高達(dá)1Tb

發(fā)布時(shí)間:2017-8-10 10:09    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: V-NAND , SSD
來(lái)源:快科技

在舊金山的閃存峰會(huì)上,三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒,容量高達(dá)1Tb,用于消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品。

三星表示,今后的2TB 3D閃存SSD產(chǎn)品將使用上這一新品,即一整顆芯片封裝16Tb Die,繼續(xù)減小體積。

如此精巧之后,連傳統(tǒng)M.2 2242(NGFF)的電路板型都用不到了,三星據(jù)此提出了Next Generation Small Form Factor (NGSFF) 標(biāo)準(zhǔn)。

其中單面16TB的樣品三圍是30.5mm x 110mm x 4.38mm,當(dāng)然這是極大值的情況。

按照三星的演示,典型的服務(wù)器可以塞入36張單面16TB NGSFF SSD,總存儲(chǔ)容量達(dá)到576TB。

當(dāng)然,相較技術(shù)、容量本身的進(jìn)步,用戶可能關(guān)注閃存第一廠何時(shí)能夠釋放更大的產(chǎn)能把SSD的價(jià)格降回去吧。

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