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Synopsys為T(mén)SMC 22nm ULP/ULL工藝提供DesignWare基礎(chǔ)IP

發(fā)布時(shí)間:2018-5-11 10:32    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: DesignWare , 22nm , ULP
Synopsys近日宣布與TSMC合作,共同為T(mén)SMC 22nm超低功耗(ULP)與22nm超低漏電(ULL)平臺(tái)開(kāi)發(fā)DesignWare 基礎(chǔ)IP。該基礎(chǔ)IP包含用于TSMC 22nm工藝的邏輯庫(kù)、嵌入式內(nèi)存以及一次性可編程(one-time programmable,OTP)非揮發(fā)性?xún)?nèi)存(non-volatile memories,NVM),能協(xié)助設(shè)計(jì)人員大幅降低功耗,同時(shí)滿(mǎn)足各式應(yīng)用的性能需求。DesignWare Duet Package包括了具備面積優(yōu)化的高速低功耗嵌入式內(nèi)存、使用標(biāo)準(zhǔn)核心氧化物(core oxide)或厚IO 氧化物以實(shí)現(xiàn)低漏電率的邏輯庫(kù)、內(nèi)存測(cè)試與修復(fù)能力以及功耗優(yōu)化套件,能為SoC帶來(lái)最佳的結(jié)果質(zhì)量。

DesignWare HPC設(shè)計(jì)套件內(nèi)容包括高速、高密度的內(nèi)存實(shí)例(memory instance)和邏輯單元,能協(xié)助SoC設(shè)計(jì)人員進(jìn)行CPU、GPU與DSP核心的優(yōu)化,以達(dá)到速度、面積與功耗的最佳平衡。用于TSMC 22nm ULP與22nm ULL工藝的DesignWare OTP NVM IP無(wú)須額外的光罩層數(shù)或制程步驟,且能以最少的硅足跡(footprint)達(dá)到高產(chǎn)出、高安全性及高可靠性。

TSMC設(shè)計(jì)基礎(chǔ)架構(gòu)營(yíng)銷(xiāo)事業(yè)部資深處長(zhǎng)Suk Lee表示:“TSMC與Synopsys多年成功的合作經(jīng)驗(yàn)有助于雙方客戶(hù)實(shí)現(xiàn)SoC在性能、功耗及芯片面積的目標(biāo)。通過(guò)為T(mén)SMC 22nm ULP與22nm ULL工藝提供DesignWare 基礎(chǔ)IP,Synopsys作為業(yè)界領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商,持續(xù)提供通過(guò)驗(yàn)證的IP解決方案,協(xié)助設(shè)計(jì)人員減少設(shè)計(jì)工作量,同時(shí)在TSMC最新技術(shù)中實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)目標(biāo)!

Synopsys營(yíng)銷(xiāo)副總裁John Koeter也表示:“Synopsys與TSMC密切合作已歷經(jīng)了多個(gè)TSMC工藝時(shí)代。我們所提供的高質(zhì)量基礎(chǔ)IP能協(xié)助設(shè)計(jì)人員滿(mǎn)足SoC在功耗、性能與面積的需求。為T(mén)SMC 22nm ULP 與22nm ULL工藝提供DesignWare邏輯庫(kù)與嵌入式內(nèi)存IP,能協(xié)助設(shè)計(jì)人員大幅降低目標(biāo)應(yīng)用的功耗,并加快產(chǎn)品的上市腳步。

上市情況

針對(duì)TSMC 22nm ULP 與22nm ULL工藝的DesignWare Duet Package與HPC設(shè)計(jì)套件預(yù)計(jì)于今年第三季度上市。用于22nm ULP工藝的DesignWare OTP NVM IP預(yù)計(jì)于今年第三季度上市,而用于22nm ULL工藝的OTP NVM IP則計(jì)劃在明年第一季度上市。
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