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飽暖思進(jìn)步:眾NOR閃存芯片廠商開始升級芯片制程工藝

發(fā)布時(shí)間:2011-2-21 22:48    發(fā)布者:1770309616
隨著NOR閃存市場供需平衡態(tài)勢的逐步轉(zhuǎn)好,主要的幾家NOR閃存廠商也已經(jīng)將重心從價(jià)格戰(zhàn)轉(zhuǎn)移到了提升產(chǎn)品制程等級方面。NOR閃存主要廠商之一的 Spansion擺脫了去年五月份的破產(chǎn)重組風(fēng)波,他們計(jì)劃今年采用65nm制程工藝生產(chǎn)自己的產(chǎn)品,并預(yù)計(jì)今年自己的這種新閃存銷量會有所增長,預(yù)計(jì)今 年底其65nm制程產(chǎn)品的營收將占總營收的25%左右。他們最近將其GL-S系列NOR閃存產(chǎn)品的市場范圍拓寬到了包括汽車,消費(fèi)電子以及游戲機(jī)用的嵌入 式領(lǐng)域,該系列NOR閃存產(chǎn)品就是使用65nm制程技術(shù)制造。  

     

另一家NOR閃存廠商臺灣旺宏則計(jì)劃于年內(nèi)將其NOR產(chǎn)品遷移到75nm制程節(jié)點(diǎn),再下一步則會轉(zhuǎn)換到57nm制程節(jié)點(diǎn)。相比之下,去年第四季度采用110nm制程工藝制作的NOR閃存產(chǎn)品的銷量則占到旺宏NOR閃存總銷量的57%。

華邦則此前也已經(jīng)透露了今年第三季度將其NOR閃存產(chǎn)品從90nm制程節(jié)點(diǎn)提升到58nm節(jié)點(diǎn)的計(jì)劃。

另外,據(jù)此前的報(bào)道顯示,旺宏與華邦兩家公司都計(jì)劃于今年增強(qiáng)其NOR產(chǎn)品在汽車嵌入式市場的投放力度。


附一:

      NOR閃存芯片制造商加速制造工藝升級

臺灣媒體報(bào)道,為了讓NOR閃存市場供需更加平衡,業(yè)界主要NOR芯片制造商都已經(jīng)將重點(diǎn)放在了產(chǎn)品工藝升級上,而非價(jià)格競爭上。

剛剛在今年5月份走出破產(chǎn)保護(hù)的Spansion已經(jīng)計(jì)劃將其芯片制造工藝升級到65nm,并預(yù)計(jì)該工藝產(chǎn)品將占據(jù)其今年總營收的25%。
Spansion一直想將其此前破產(chǎn)時(shí)期丟掉的份額一舉拿回,他們已經(jīng)在近期將其用于消費(fèi)電子品、游戲和汽車等嵌入式應(yīng)用的GL-S家族NOR閃存芯片進(jìn)行擴(kuò)充,新產(chǎn)品也使用了65nm處理工藝。

臺灣旺宏也計(jì)劃在今年將其NOR生產(chǎn)工藝從0.11微米升級到75nm,然后再直接升級到57nm,0.11微米產(chǎn)品已經(jīng)占據(jù)旺宏去年四季度NOR閃存收入的57%。

華邦電子此前也已經(jīng)宣布計(jì)劃在今年三季度將其NOR生產(chǎn)從90nm升級到58nm。此外旺宏和華邦電子還加足馬力準(zhǔn)備提升其汽車NOR市場的表現(xiàn)。


附二:

      Made in China:大陸中微半導(dǎo)體設(shè)備公司欲沖出亞洲走向世界

克服了公司發(fā)展道路上的幾個(gè)主要障礙之后,大陸中微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司(AMEC)終于走上了新的成長路程,中微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司主要的產(chǎn)品是半導(dǎo)體制 造用蝕刻設(shè)備以及HPCVD高壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備。他們現(xiàn)在開始尋求在亞洲以外地區(qū)的發(fā)展空間,不僅如此,公司也對設(shè)備的產(chǎn)能進(jìn)行了擴(kuò)充,并計(jì)劃擴(kuò)增一條 新的設(shè)備產(chǎn)線,以進(jìn)一步鞏固其在蝕刻設(shè)備領(lǐng)域的地位。公司還準(zhǔn)備在不久的將來首次發(fā)行股票。


中微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司總部位于上海,目前為止這家公司已經(jīng)售出了20臺半導(dǎo)體生產(chǎn)用設(shè)備。不過AMEC公司的副總裁Frank Masciocchi則拒絕透露其客戶的名單,僅稱其客戶已經(jīng)進(jìn)入“第二輪”成長期,并稱“我們已經(jīng)不再是初涉市場的新興公司”。據(jù)觀察家猜測,公司的客戶名單中很可能包含有Globalfoundries等知名廠商。

中微半導(dǎo)體設(shè)備公司成立于2004年,2007年,這家公司先后推出了反應(yīng)離子刻蝕機(jī)和高壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備(HPCVD)作為自己的處女作,公司希望加入與老牌設(shè)備廠商如應(yīng)用材料公司/日立公司/TEL公司/泛林公司(Lam)的競爭行列。

2006年以后,中微先后成功從包括三星風(fēng)險(xiǎn)投資公司,高通等在內(nèi)的多家公司/投資機(jī)構(gòu)獲得了巨額注資。不過,中微的發(fā)展歷程并非一帆風(fēng)順,2007年10月,老牌半導(dǎo)體設(shè)備廠商應(yīng)用材料公司一紙?jiān)V狀將AMEC告上了美國加州北區(qū)法庭,指控AMEC非法盜用商業(yè)機(jī)密,違反合約及不正當(dāng)競爭,指控的矛頭甚至指向了AMEC的CEO 尹志堯。尹志堯1991年至2004年間曾在應(yīng)用半導(dǎo)體公司擔(dān)任多種職位,如蝕刻產(chǎn)品集團(tuán)的總經(jīng)理等。

2009年,AMEC在非法盜用商業(yè)機(jī)密案的審理過程中獲得了有利的結(jié)案判決,2010年,兩家公司就這起官司達(dá)成和解。




上個(gè)月,AMEC宣稱自己又迎來了一場官司的勝利。這場官司是由美國泛林公司在臺灣法院提起的,訴狀宣稱AMEC銷往臺灣的蝕刻設(shè)備侵犯了泛林的技術(shù)專利,最后這項(xiàng)上訴遭到臺灣法院的駁回,而且臺灣智慧財(cái)產(chǎn)局(TIPO)也最終站在了AMEC的一邊。

現(xiàn)在AMEC終于重振市場名聲,而盡管因受到訴訟案的干擾,公司依然在市場拓展方面取得了一些成效,其成效主要在蝕刻產(chǎn)品方面。公司生產(chǎn)的300mm Primo D-RIE系統(tǒng)(去耦反應(yīng)離子刻蝕)基于雙工作站,小批量造型集群(mini-batch cluster,mini-batch指每批生產(chǎn)的晶圓不超過十片)架構(gòu),為單芯片生產(chǎn)系統(tǒng),裝備甚高頻去耦反應(yīng)離子刻蝕源。這套設(shè)備主要用于蝕刻硬質(zhì)掩膜(Hardmask),側(cè)壁(spacer),雙大馬士革過孔( dual damascene via)以及溝槽(trench)等結(jié)構(gòu)的蝕刻成型,可適用于65nm以上等級的芯片生產(chǎn)。AMEC自稱這套設(shè)備的產(chǎn)出能力比競爭對手的系統(tǒng)高出35%左右,而使用成本則比對手低35%。

大部分AMEC生產(chǎn)的設(shè)備是銷往中國大陸,新加坡以及臺灣地區(qū),而現(xiàn)在公司開始向歐洲和美國地區(qū)拓展業(yè)務(wù)。

AMEC公司生產(chǎn)的設(shè)備主要活躍在電介質(zhì)蝕刻生產(chǎn)領(lǐng)域,他們初期生產(chǎn)的設(shè)備基本被用于半導(dǎo)體器件中非關(guān)鍵層的蝕刻成型,不過AMEC的新目標(biāo)是將其蝕刻工具應(yīng)用的目標(biāo)推廣到半導(dǎo)體器件中更為關(guān)鍵的層結(jié)構(gòu)的蝕刻中去,同時(shí)努力進(jìn)入新興的TSV穿硅互聯(lián)技術(shù)用生產(chǎn)設(shè)備市場。

另外,公司還開發(fā)了代號為A-RIE的新設(shè)備,目前這款設(shè)備的細(xì)節(jié)未知,不過AMEC稱設(shè)備的產(chǎn)出量相比D-RIE將實(shí)現(xiàn)倍增。到今年10月份,AMEC將具備年產(chǎn)170臺設(shè)備的能力。


附三:

       代號Rogue 全新PowerVR 6移動GPU架構(gòu)公布

來自國外媒體的報(bào)道,ARM和Intel主要的GPU IP主要供應(yīng)商Imagination Technologies近日公布了他們新一代Powervr Series6架構(gòu),代號為“Rogue”,ST-Ericsson已經(jīng)宣布將會在他們的新一代Nova應(yīng)用處理器中使用這一新的圖形架構(gòu)。

這家公司的圖形技術(shù)在蘋果、德州儀器、飛思卡爾、Intel、三星、NEC等公司的處理器產(chǎn)品中都得到了大量的應(yīng)用,比如蘋果的第一代iPhone就使用了他們的Powervr MBX圖形核心。

Imagination Technologies表示他們的新一代Powervr架構(gòu)將會廣泛兼容現(xiàn)有的Series5系列產(chǎn)品,以確保應(yīng)用程序開發(fā)可以平滑過渡到新的架構(gòu),不 過他們并未透露新架構(gòu)的詳細(xì)參數(shù)。有媒體報(bào)道稱,Series6 IP的運(yùn)行速度相比現(xiàn)有的Series5提高至少20倍。

同時(shí)Imagination Technologie還表示他們的圖形核心有望在2011年隨SoC片上系統(tǒng)銷出2億以上。目前已經(jīng)有超過10款正在設(shè)計(jì)或者出樣的SoC使用他們最新 的Series5 IP,其中德州儀器的OMAP5430和OMAP5432中集成有他們的多核心Powervr SGX544MP圖形加速器,瑞薩的SH-Mobile APE5R內(nèi)置有Powervr SGX543MP,索尼的NGP則使用他們的SGX543MP4圖形核心。此外有傳聞稱,下一代的iPhone和iPad也將會使用SGX543MP4圖形芯片。


附四:

       從成本和技術(shù)角度看高通28nm產(chǎn)品為何棄用流行的HKMG工藝

大家都知道幾天前高通正式發(fā)布了現(xiàn)有Scorpion核心的下一代移動微處理器krait產(chǎn)品系列,這款新產(chǎn)品由于較早地采用了28nm制程,因此引起了 各方的注意。不過,與大家的期望相反,不久前高通曾經(jīng)在IDEM大會上表示其大部分28nm制程的產(chǎn)品并不會采用當(dāng)今最先進(jìn)的HKMG(金屬柵極+高介電 常數(shù)絕緣層(High-k)柵結(jié)構(gòu))工藝制作,而是仍采用較為傳統(tǒng)的多晶硅柵+氮氧化硅絕緣層(poly/SiON)的柵極結(jié)構(gòu),那么高通為什么選擇這種 看起來不夠“時(shí)髦”的老技術(shù)呢?現(xiàn)在我們就一起來回顧一下高通選擇這么做的理由。


1.成本因素:

高通的營運(yùn)副總裁Jim Clifford表示,選擇走poly/SiON的老路,主要是出于成本和時(shí)間方面的考慮。他在IEDM會議上稱:“High-k絕緣層天生就需要更多的掩膜層結(jié)構(gòu)才可以制作出來,而這種結(jié)構(gòu)相對復(fù)雜,很容易產(chǎn)生制造瑕疵,對制造者而言是一個(gè)挑戰(zhàn)!

不過高通并沒有完全關(guān)上HKMG的門。Clifford表示:“仍然有一部分產(chǎn)品是需要采用HKMG技術(shù)制作的”這其中包括為平板電腦以及部分“極高端”智能手機(jī)所設(shè)計(jì)的芯片產(chǎn)品。高通會選擇在此類產(chǎn)品的運(yùn)行頻率需要提高到2GHz左右時(shí),再向這部分28nm制程產(chǎn)品中引入HKMG技術(shù)。不過對大多數(shù)智能手機(jī)用芯片,高通則會堅(jiān)持采用更便宜的poly/SiON技術(shù)制作芯片。

Clifford還強(qiáng)調(diào)稱,雖然高通非常渴望自己設(shè)計(jì)的芯片產(chǎn)品能夠采用更先進(jìn)的工藝來制作,但是為追逐摩爾定律而必須啟用這些工藝所需的如EUV光刻設(shè)備以及其它關(guān)聯(lián)技術(shù)的研究方面的巨額成本投資卻令高通十分擔(dān)憂。Clifford說:“成本控制對我們而言非常重要!

2.技術(shù)因素:

從技術(shù)角度看,在IEDM會展期間,高通技術(shù)主管P.R. Chidambaram則在一份描述其28nm技術(shù)的文件中稱,如果某種用于制作HKMG的工藝無法為溝道提供足夠的溝道應(yīng)變力,那么采用這種工藝制造出來的晶體管其性能便無法比采用傳統(tǒng)poly/SiON+強(qiáng)效溝道硅應(yīng)變工藝制作的晶體管高出多少。他表示:”HKMG+強(qiáng)效溝道硅應(yīng)變工藝的組合可以顯著提升晶體管的速度,但是采用這種工藝的成本更高,因此這種工藝更適合于用在平板電腦或超高端智能手機(jī)的場合。而采用傳統(tǒng)的poly/SiON工藝,則產(chǎn)品開發(fā)時(shí)間短,而且制程方面所負(fù)擔(dān)的風(fēng)險(xiǎn)也更小,造出的芯片瑕疵密度也更低。“

目前大部分采用高通Snapdragon處理器核心設(shè)計(jì)的智能手機(jī)用芯片的運(yùn)行頻率均在1Ghz及以下的水平,而且還可以用啟用雙核設(shè)計(jì)的方法來進(jìn)一步提升性能。高通公司的高級技術(shù)經(jīng)理Geoff Yeap稱高通目前售出的基于Snapdragon核心的芯片產(chǎn)品”數(shù)量非常巨大“,他還表示目前主要幾家芯片代工廠在high-k工藝方面”都還準(zhǔn)備不足“。

Yeap表示高通晚些時(shí)候會將其部分產(chǎn)品轉(zhuǎn)向使用HKMG工藝制作。雖然HKMG晶體管由于反型層電荷的增加其驅(qū)動電流值也更大,但是也因此而增加了管子的開關(guān)電容,而對高通而言,晶體管工作在線性電流特性區(qū)的電流驅(qū)動能力(Idlin)要比工作在飽和區(qū)的電流驅(qū)動能力(Idsat)更為重要。




而雖然HKMG工藝對解決柵極的漏電問題幫助甚大,但是這種技術(shù)對硅襯底(substrate)以及漏源極的漏電卻沒有很大的改善。而高通則在其采用28nm poly/SiON工藝的晶體管中采用了阱偏置技術(shù)( well biasing,一種可以改變襯底偏置電壓,以減小襯底漏電的技術(shù)),以及包含門控時(shí)鐘(clock gating簡言之就是在某模塊空閑的時(shí)候可切斷其時(shí)鐘信號供應(yīng)的控制門電路技術(shù))和門控電源(power gating 簡言之即為在某晶體管模塊空閑的時(shí)候可徹底切斷其電源供應(yīng)的控制門電路技術(shù))等技術(shù)在內(nèi)的多種電路技術(shù)來控制芯片的漏電損耗。Chidambaram還介紹了該產(chǎn)品中應(yīng)用的某種特殊的門控電源設(shè)計(jì),并稱這種技術(shù)是在高通和其未透露公司名的芯片代工伙伴的共同努力下開發(fā)出來的。

當(dāng)然放開HKMG還是poly/SiON的話題不談,光是從45nm節(jié)點(diǎn)升級到28nm節(jié)點(diǎn),高通也可以從中獲利不少,這部分相信大家都已經(jīng)很清楚,這里就不再羅嗦了。

3 外界的看法:

在IEDM會議上,許多技術(shù)專家都為高通決定仍走poly/SiON工藝路線的決定感到驚訝,因?yàn)橐话愣颊J(rèn)為HKMG可以更好的控制溝道性能,而且工藝升級余地也更大?傮w上看,目前poly/SiON工藝遇到的主要障礙是柵氧化層的等效厚度由于柵極漏電等問題的存在從90nm節(jié)點(diǎn)制程起便難以進(jìn)一步縮小,以至于需要依賴硅應(yīng)變技術(shù)來提升晶體管的速度,而HKMG則可以解決這個(gè)問題。

4 關(guān)于高通28nm產(chǎn)品代工商的推理分析:

至于高通這些28nm產(chǎn)品可能的代工商方面,臺積電和GlobalFoundries都與高通有代工合作關(guān)系。而我們已經(jīng)知道臺積電將啟用三種不同的28nm制程工藝技術(shù),這三種制程工藝分別是:1-“低功耗氮氧化硅柵極絕緣層(SiON)工藝”(代號28LP);2-"High-K+金屬柵極(HKMG)高性能工藝“(代號28HP);3-”低功耗型HKMG工藝“(代號28HPL)。所以從臺積電的情況看其28LP工藝正好滿足高通28nm產(chǎn)品的規(guī)格。

而據(jù)GlobalFoundries此前公布的工藝技術(shù)路線圖顯示,GlobalFoundries生產(chǎn)的28nm低功耗(28nm LP)及高性能(28nm HP)芯片產(chǎn)品均會使用gate-first HKMG工藝,這樣,除非GlobalFoundries沒份代工大部分高通28nm制程芯片,否則高通走28nm poly/SiON工藝路線的決定,不免會令人猜測他們會不會為高通這個(gè)可以算作代工廠商最大客戶的合作伙伴而對自己的工藝技術(shù)路線圖做些修改。不過Clifford表示不愿為哪家廠商將代工其28nm芯片產(chǎn)品作任何評論,稱代工商的具體人選還在內(nèi)部討論的過程中。

有趣的是,盡管GlobalFoundries的發(fā)言人在IDEM會上大肆宣傳稱其28nm工藝是基于gate-first HKMG工藝基礎(chǔ)上的,但他又表示:“不過,我們也本著特事特辦的精神,正在為滿足某些來自特殊客戶的特殊請求而為某些特殊產(chǎn)品提供基于28nm Poly/SiON制程的代工,這類產(chǎn)品并不需要HKMG技術(shù)帶來的性能提升和漏電降低優(yōu)勢!倍褿lobalFoundries也不會為28 nm Poly/SiON技術(shù)建立一整套完備的電路設(shè)計(jì)系統(tǒng)。

他還表示GlobalFoundries轉(zhuǎn)向HKMG工藝的計(jì)劃“仍然在正常進(jìn)行中,我們認(rèn)為這種工藝對客戶的吸引力是非常大的。我們預(yù)計(jì)HKMG會成為28nm低功耗移動設(shè)備用產(chǎn)品,以及28nm高性能設(shè)備用產(chǎn)品的絕對主流工藝。”GlobalFoundries還稱目前已經(jīng)有多家客戶的芯片產(chǎn)品處于硅片驗(yàn)證階段,而且公司旗下的德累斯頓Fab1工廠也已經(jīng)在測試相關(guān)的原型芯片,很快便會進(jìn)入試產(chǎn)階段。

GlobalFoundries與臺積電目前因所用HKMG工藝的不同而在市場上火藥味很濃:GlobalFoundries在28nm會使用gate first型HKMG工藝,而臺積電則會使用Gate-last HKMG工藝。GlobalFoundries還宣稱自己的Gate first HKMG工藝在成本方面要比臺積電的Gate-last HKMG工藝節(jié)能約10-15%左右。

最后,高通的高管Yeap表示在下一代22/20nm節(jié)點(diǎn),高通計(jì)劃在幾乎自己的所有芯片產(chǎn)品中啟用HKMG工藝。


附五:

      FinFET技術(shù)奠基人看FinFET與FDSOI技術(shù)之爭

12年前,胡正明教授在加州大學(xué)領(lǐng)導(dǎo)著一個(gè)由美國國防部高級研究計(jì)劃局(DARPA)出資贊助的研究小組,當(dāng)時(shí)他們的研究目標(biāo)是CMOS技術(shù)如何拓展到 25nm領(lǐng)域,當(dāng)時(shí)的研究結(jié)果顯示有兩種途徑可以實(shí)現(xiàn)這種目的:一是立體型結(jié)構(gòu)的FinFET晶體管,另外一種是基于SOI的超薄絕緣層上硅體技術(shù) (UTB-SOI,也就是我們常說的FDSOI晶體管技術(shù))。


胡正明教授是臺積電的特聘教授,他還曾經(jīng)擔(dān)任過臺積電公司的首席技術(shù)官,此外他還是中科院外籍院士,他在半導(dǎo)體界最著名的成就是研制出了FinFET立體型晶體管技術(shù)。

不過,要讓UTB-SOI正常工作,絕緣層上硅膜的厚度應(yīng)限制在柵長的四分之一左右。對25nm柵長的晶體管而言,胡教授認(rèn)為UTB-SOI的硅膜厚度應(yīng)被控制在5nm左右。

胡教授及其團(tuán)隊(duì)成員發(fā)表了有關(guān)FinFET(1999年發(fā)布)和UTB-SOI(2000年發(fā)布)的技術(shù)文章后,大部分半導(dǎo)體廠商的開發(fā)工作方向轉(zhuǎn)向了FinFET技術(shù),因?yàn)樗麄兌颊J(rèn)為要想制造出UTB-SOI上如此薄的硅膜實(shí)在太困難了。

胡教授說:“我當(dāng)時(shí)覺得我們恐怕沒有辦法搞到可以滿足這種條件的SOI基體,沒有公司能夠?qū)ν夤⿷?yīng)硅膜厚度僅有5nm(50埃,僅相當(dāng)12-15個(gè)硅原子的尺寸)的SOI晶圓。我當(dāng)時(shí)覺得這不太可能實(shí)現(xiàn),或者說等人們具備這種技術(shù)能力時(shí),F(xiàn)inFET技術(shù)可能已經(jīng)得到了充分的發(fā)展。不過兩年前法國Soitec公司改變了這種情況,他們開始推出300mm UTB-SOI的晶圓樣品,這些晶圓的頂層硅膜原始厚度只有12nm,然后再經(jīng)處理去掉頂部的7nm厚度硅膜,最后便可得到5nm厚度的硅膜。這便為UTB-SOI技術(shù)的實(shí)用化鋪平了道路!

胡教授認(rèn)為,F(xiàn)inFET和UTB-SOI技術(shù)是可以并存的,不過在未來幾年內(nèi),兩者都會想盡辦法彼此超越對方成為主流技術(shù)。其中Intel有可能會采用FinFET技術(shù),原因是這種技術(shù)可以讓微處理器的性能相對更強(qiáng)。

他說:“我覺得兩種技術(shù)至少在發(fā)展的初期會并駕齊驅(qū),F(xiàn)inFET技術(shù)正在量產(chǎn)化的進(jìn)程中。對Intel而言,UTB-SOI技術(shù)制造的器件可能速度上不夠快,因此我們假設(shè)Intel可能會使用FinFET技術(shù)。對臺積電而言,在兩種技術(shù)中他們會首先采用FinFET技術(shù),畢竟他們在此方面已經(jīng)進(jìn)行了大量的開發(fā)投資,而且臺積電有大量FinFET適用的應(yīng)用,高性能應(yīng)用便是其中之一!

不過UTB-SOI則在研發(fā)復(fù)雜性上更有優(yōu)勢(因UTB-SOI仍可采用傳統(tǒng)的平面型晶體管技術(shù),而FinFET則是立體晶體管技術(shù))。“我認(rèn)為UTB-SOI將來會有市場,因?yàn)檫@種技術(shù)的復(fù)雜程度要低于FinFET.芯片制造公司只需要買來UTB-SOI晶圓即可。對頻率要求較低的低功耗型應(yīng)用,UTB-SOI技術(shù)將是一個(gè)有趣的新選擇。”

時(shí)間方面,他認(rèn)為臺積電公司會在14nm節(jié)點(diǎn)開始采用FinFET技術(shù),然后則會為低功耗產(chǎn)品的用戶推出應(yīng)用了UTB-SOI技術(shù)的產(chǎn)品。而聯(lián)電公司則會減輕對FinFET技術(shù)的投資力度,并直接轉(zhuǎn)向UTB-SOI技術(shù)。

他還說:“對下一代半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品而言(這里指22/20nm節(jié)點(diǎn)之后的下一代),F(xiàn)inFET和UTB-SOI均會有自己的用武之地。不過兩者將呈現(xiàn)水火難容的競爭態(tài)勢。而除非UTB-SOI可以達(dá)到較高的性能表現(xiàn),否則無法擊敗FinFET技術(shù)。不過對許多芯片制造公司而言,仍可找到適用UTB-SOI技術(shù)的許多應(yīng)用。所以我認(rèn)為這兩種技術(shù)都有可能實(shí)現(xiàn)并擁有各自的市場,而且在未來一長段時(shí)間內(nèi),兩種技術(shù)會長期并存,不過我覺得這是個(gè)好現(xiàn)象,至少我們現(xiàn)在有了可選擇的余地。”
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