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對NVM區(qū)的合理使用

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樓主
發(fā)表于 2019-7-25 09:42:22 | 只看該作者 回帖獎(jiǎng)勵(lì) |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式
關(guān)鍵詞: 加密芯片 , NVM區(qū)
凌科芯安多款加密芯片均設(shè)置了NVM區(qū),因其具備掉電不擦除的物理特性和防暴力破解等安全特性,眾多用戶會利用NVM區(qū)存儲重要數(shù)據(jù)。雖然使用方法簡單,但有一點(diǎn)技術(shù)細(xì)節(jié)容易被忽視。NVM區(qū)有10萬次擦寫壽命或10年存儲壽命,因此用戶使用時(shí)要結(jié)合自己項(xiàng)目的應(yīng)用場景和業(yè)務(wù)邏輯進(jìn)行合理分配,達(dá)到高效使用NVM區(qū),下面展開說明。
問題一:更新數(shù)據(jù)邏輯不合理
NVM區(qū)的寫操作是按頁實(shí)現(xiàn)的,應(yīng)多以頁為單位進(jìn)行寫操作。舉例:有些用戶將多組數(shù)據(jù)存儲于同一NVM頁內(nèi),但每更改其中一組數(shù)據(jù)時(shí),就對該頁執(zhí)行了一次寫操作,這其實(shí)是不提倡的。正確的做法是,盡量將該頁內(nèi)的多組數(shù)據(jù)統(tǒng)一更新,這樣能有效減少扇區(qū)擦寫次數(shù),延長NVM區(qū)壽命。
問題二:NVM區(qū)地址劃分使用不合理
同樣因?yàn)榘错摬僮鞯脑颍脩魬?yīng)將不同數(shù)據(jù)分組按頁對齊,避免數(shù)據(jù)跨頁存儲的情況發(fā)生。舉例:有些用戶將一組連續(xù)數(shù)據(jù)放在了兩頁地址交界處,當(dāng)對該組數(shù)據(jù)進(jìn)行更新寫操作時(shí),實(shí)際就對兩頁數(shù)據(jù)同時(shí)實(shí)行了寫操作,即使只寫了2字節(jié)數(shù)據(jù),也會造成1024字節(jié)區(qū)域(假設(shè)目標(biāo)加密芯片的NVM扇區(qū)大小是512字節(jié))的寫壽命減少,這種操作是不提倡的。
問題三:NVM區(qū)未做安全防護(hù)引起數(shù)據(jù)丟失
NVM區(qū)的寫操作是由三步完成的,第一步讀取目標(biāo)扇區(qū)內(nèi)原數(shù)據(jù),第二步擦除目標(biāo)扇區(qū)內(nèi)數(shù)據(jù),第三步將修改后的新數(shù)據(jù)和未做修改的原數(shù)據(jù)寫回目標(biāo)扇區(qū)。因此當(dāng)意外斷電等情況發(fā)生時(shí),加密芯片恰好執(zhí)行完寫NVM區(qū)的第二步操作,且未完成寫NVM區(qū)的第三步操作,就會造成目標(biāo)區(qū)域內(nèi)數(shù)據(jù)發(fā)生無規(guī)律錯(cuò)亂。當(dāng)然也有解決辦法,下期分解。
沙發(fā)
發(fā)表于 2019-7-26 15:32:19 | 只看該作者
LKT產(chǎn)品的NVM區(qū)存儲空間是多大?
板凳
發(fā)表于 2019-7-26 17:12:19 | 只看該作者
4k、16K的都有吧,具體看型號
地板
發(fā)表于 2019-7-26 17:20:40 | 只看該作者
4k、16K的都有吧,具體看型號
地下室
發(fā)表于 2019-7-26 18:43:33 | 只看該作者
可以介紹一下相關(guān)的型號嗎?
6
發(fā)表于 2019-7-26 21:26:35 | 只看該作者
同問,樓主推薦一款內(nèi)部設(shè)置了NVM的加密芯片唄
7
發(fā)表于 2019-7-27 09:19:16 | 只看該作者
型號很多,幾乎每個(gè)產(chǎn)品都有nvm區(qū),具體你咨詢一下吧
8
發(fā)表于 2019-7-28 09:54:04 | 只看該作者
Nvm就是鐵電吧?怎么做到按頁寫?有實(shí)例嗎?
9
發(fā)表于 2019-7-28 10:47:38 | 只看該作者
這個(gè)NVM應(yīng)該跟FLASH類似吧,按頁寫,應(yīng)該是一次寫入256字節(jié)或者512字節(jié)吧
10
發(fā)表于 2019-7-28 10:48:10 | 只看該作者

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發(fā)表于 2019-7-28 15:05:52 | 只看該作者
期待樓主下期文章的更新
12
 樓主| 發(fā)表于 2019-7-29 09:03:04 | 只看該作者
內(nèi)部帶NVM的MCU芯片,在程序執(zhí)行中通常會根據(jù)條件判斷去執(zhí)行讀寫NVM單元的操作,特別是寫NVM單元的操作,要注意。否則很容易造成誤寫NVM單元或者寫入NVM單元的值錯(cuò)誤,造成系統(tǒng)運(yùn)行異常。
13
發(fā)表于 2019-7-29 09:21:24 | 只看該作者
上面說的沒錯(cuò)。但是讀寫NVM的操作一般會被寫到芯片固件內(nèi)部,以提供api的形式供開發(fā)者使用,所以NVM讀寫的穩(wěn)定性和安全性還是有保證的。
14
發(fā)表于 2019-7-29 14:49:43 | 只看該作者
樓主家的多款加密芯片內(nèi)部設(shè)置了NVM去,其特點(diǎn)是掉電不擦除,利用NVM區(qū)存儲重要數(shù)據(jù),那又如何確保能在芯片內(nèi)部安全運(yùn)行的呢?
15
發(fā)表于 2019-7-29 14:52:51 | 只看該作者
啥在芯片安全運(yùn)行?NVM區(qū)數(shù)據(jù)?只要不對外開放讀寫接口,內(nèi)部運(yùn)行肯定安全。若說是其他的安全,那具體看你的算法設(shè)計(jì)了。
16
發(fā)表于 2019-7-29 22:33:15 | 只看該作者
本文中介紹nvm區(qū)如何更好的使用其擦除次數(shù),那么nvm對比其他有什么優(yōu)勢呢?
17
發(fā)表于 2019-7-30 11:00:11 | 只看該作者
具有擴(kuò)展性好、靜態(tài)能耗低以及非易失性等優(yōu)勢
18
發(fā)表于 2019-7-30 11:23:14 | 只看該作者
寫操作中途斷電還確實(shí)麻煩,很想知道如何解決,期待樓主下期文章
19
發(fā)表于 2019-7-30 13:31:46 | 只看該作者
MCU的軟件開發(fā)工具鏈默認(rèn)都是在下載調(diào)試過程中,將全部MCU的NVM存儲器擦除重新編程的,怎么操作才不會讓它在下載調(diào)試的時(shí)候不用重新編程呢?
20
發(fā)表于 2019-7-30 13:35:31 | 只看該作者
MCU的軟件開發(fā)工具鏈默認(rèn)都是在下載調(diào)試過程中,將全部MCU的NVM存儲器擦除重新編程的,怎么操作才不會讓它在下載調(diào)試的時(shí)候不用重新編程呢?
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