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MRAM的主體結構由三層結構的MTJ構成：自由層（free layer），固定層和氧化層。自由層與固定層的材料分別是CoFeB和MgO。,MRAM 是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器（SRAM）的高速讀取寫入能力，以及動態(tài)隨機存儲器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。存儲器讀取電路是通過加載相同的電壓判斷輸出電流的大小從而判斷存儲器的信息。 everspin的最新MRAM技術利用自旋轉矩傳遞特性，即利用極化電流操縱電子的自旋，以建立自由層的所需磁狀態(tài)，以對存儲陣列中的位進行編程或寫入。 與Toggle MRAM相比，自旋傳遞扭矩MRAM或STT-MRAM顯著降低了開關能量，并且具有高度可擴展性，從而可以實現(xiàn)更高密度的存儲產(chǎn)品。我們的第三代MRAM技術使用垂直MTJ。我們已經(jīng)開發(fā)了具有高垂直磁各向異性的材料和垂直MTJ疊層設計，可提供長數(shù)據(jù)保留，小單元尺寸，更大密度，高耐久性和低功耗。 1Gb是最新一代的STT-MRAM，利用了ST-DDR4，它是一種類似于JEDEC的DDR4接口，需要進行一些修改才能利用MRAM技術的持久性。 這些產(chǎn)品的性能類似于持久性DRAM，但無需刷新。計劃開發(fā)其他產(chǎn)品，這些產(chǎn)品將利用高速串行接口用于各種嵌入式應用。 |
| everspin的最新MRAM技術利用自旋轉矩傳遞特性，即利用極化電流操縱電子的自旋，以建立自由層的所需磁狀態(tài)，以對存儲陣列中的位進行編程或寫入 |
| MRAM的主體結構由三層結構的MTJ構成：自由層（free layer），固定層和氧化層。自由層與固定層的材料分別是CoFeB和MgO。 |
| 1Gb是最新一代的STT-MRAM，利用了ST-DDR4，它是一種類似于JEDEC的DDR4接口，需要進行一些修改才能利用MRAM技術的持久性。 這些產(chǎn)品的性能類似于持久性DRAM，但無需刷新。計劃開發(fā)其他產(chǎn)品，這些產(chǎn)品將利用高速串行接口用于各種嵌入式應用。 |
