中科微SI24R2F與SI24R2E區(qū)別對比.SOC芯片.充電樁首選

kevinbusy

近幾年，很多做電動車防盜平安卡以及校園卡（校訊通）的群體都認知南京中科微一款低功耗單發(fā)射SOC芯片SI24R2E，于此今年新出一款SI24R2F，簡單是在R2E原有基礎上做出了升級及優(yōu)化

使用過Si24R2E的用戶都知道操作方式非常方便，可以不需要外部MCU，可以自動完成數(shù)據(jù)裝載與發(fā)射。NVM存儲器可以存儲寄存器配置與發(fā)射的數(shù)據(jù)內容，掉電后不會丟失，數(shù)據(jù)可保持10年以上。在3.3V供電電壓下，無需外部高壓，外部MCU可以通過芯片的四線spi接口完成NVM的配置編程，芯片最大可編程次數(shù)為128次，芯片支持NMV加鎖，防止NVM配置數(shù)據(jù)回讀，保證用戶數(shù)據(jù)安全。

Si24R2E也可以在外部MCU控制下工作，芯片不需要額外接口，外部微控制器（MCU）通過SPI接口對芯片少數(shù)幾個寄存器配置即可以實現(xiàn)數(shù)據(jù)的發(fā)射，芯片完全兼容Si24R1發(fā)射功能，在不打開自動發(fā)射功能時，芯片功能與配置方法與Si24R2完全相同。

Si24R2E具有非常低的系統(tǒng)應用成本，可以不需要外部MCU，僅少量外圍無源器件即可以組成一個無線數(shù)據(jù)發(fā)射系統(tǒng)。內部集成高PSRR的LDO電源，保證1.9-3.6V寬電源范圍內穩(wěn)定工作。

今天給大家講一下SI24R2F與R2E的基本性能對比

R2F：                                                          R2E：

內置64次可編程NVM存儲器                        內置128次可編程NVM存儲器

睡眠電流：500nA                                        睡眠電流：700nA  

最高發(fā)射功率：12dbm                                最高發(fā)射功率：7dbm

發(fā)射電流：16.8mA（0dbm）                      發(fā)射電流：13.5mA（0dbm）

R2E在原基礎上新增加以下功能，成功升級成SI24R2F

1、自動發(fā)射模式下，最多支持4個不同信道發(fā)射

2、支持發(fā)射數(shù)據(jù)加密

3、支持按鍵發(fā)射功能

4、支持按鍵防拆功能

5、集成溫度檢測和報警功能

產(chǎn)品領域的應用可以在：超低功耗有源RFID系統(tǒng)，智慧校園卡管理系統(tǒng)，電動自行車防盜系統(tǒng)，固定資產(chǎn)管理系統(tǒng)，智能停車處管理系統(tǒng)，低功耗成本遙控器，無線溫度監(jiān)控器，智能充電樁等。