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盡管現(xiàn)代FPGA包含內(nèi)部存儲器，但可用存儲器的數(shù)量始終比專用存儲器芯片的存儲器數(shù)量級低幾個(gè)數(shù)量級。因此許多FPGA設(shè)計(jì)人員在其FPGA上附加某種類型的存儲器也就不足為奇了。由于其高速和低成本，SDRAM是非常流行的存儲器。它們不像靜態(tài)存儲器那樣容易控制，因此經(jīng)常使用SDRAM控制器。 FPGA器件屬于專用集成電路中的一種半定制電路，是可編程的邏輯列陣，能夠有效的解決原有的器件門電路數(shù)較少的問題。FPGA的基本結(jié)構(gòu)包括可編程輸入輸出單元，可配置邏輯塊，數(shù)字時(shí)鐘管理模塊，嵌入式塊RAM，布線資源，內(nèi)嵌專用硬核，底層內(nèi)嵌功能單元。由于FPGA具有布線資源豐富，可重復(fù)編程和集成度高，投資較低的特點(diǎn)，在數(shù)字電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。 對于控制器，針對的可能是最簡單的SDRAM：一款支持用于Xilinx FPGA或Altera FPGA中的32位DDR4 SDRAM。如Kintex Ultrascale FPGA中可支持32位DDR4 SDRAM,支持免費(fèi)送樣及測試。 32位 DDR4 SDRAM特征 •密度 -8Gb •組織 -32M字×32位×8組 -無鉛/RoHS •電源 -VDD=VDDQ=1.14V-1.26V -VPP=2.375V–2.75V •數(shù)據(jù)速率： -3200Mbps/2933Mbps/2666Mbps/2400Mbps/ 2133Mbps/1866Mbps/1600Mbps •接口：偽漏極開路（POD） •爆破長度（BL）：爆破（BC）為8和4 •預(yù)充電：每個(gè)突發(fā)訪問自動(dòng)預(yù)充電選項(xiàng) •刷新：自動(dòng)刷新，自刷新 •刷新周期 -平均刷新周期0℃≤TC≤+85℃時(shí)為7.8μs+85℃ -商業(yè)：TC=0℃至+95℃ -工業(yè)：TC=-40℃至+95℃ •雙數(shù)據(jù)速率架構(gòu)：每個(gè)時(shí)鐘周期兩次數(shù)據(jù)傳輸 •高速數(shù)據(jù)傳輸通過8位預(yù)取流水線架構(gòu)實(shí)現(xiàn) •雙向差分?jǐn)?shù)據(jù)選通（DQS_t和DQS_c）與數(shù)據(jù)一起發(fā)送/接收，以便在接收器處捕獲數(shù)據(jù) •每個(gè)DRAM尋址能力（PDA） 每個(gè)DRAM可以分別設(shè)置不同的模式寄存器值，并可以單獨(dú)調(diào)整。 •細(xì)粒度刷新 2x，4x模式用于較小的tRFC •最大的省電模式，功耗最低，無需內(nèi)部刷新 •可編程的部分陣列自刷新（PASR） •RESET_n引腳用于上電序列和復(fù)位功能 
8Gbit DDR4(x32bit)_Datasheet_v1.0.pdf
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電氣條件 絕對最大額定值 表1：絕對最大額定值 注意： 1. 大于絕對最大額定值列出的壓力可能會導(dǎo)致設(shè)備永久損壞。這僅是額定壓力，并不暗示在這些或任何其他條件（超出本規(guī)范的操作部分所指示的條件）下器件的功能運(yùn)行。長時(shí)間暴露在絕對最大額定值條件下可能會影響可靠性。 2. 存儲溫度是DRAM中心/頂側(cè)的外殼表面溫度。 3. VDD和VDDQ始終必須在300mV之內(nèi)。當(dāng)VDD和VDDQ小于500mV時(shí)，VREFCA必須不大于0.6×VDDQ；VREFCA可以等于或小于300mV。 4.VPP必須始終等于或大于VDD/VDDQ。 工作溫度條件 表2：工作溫度條件 8Gb 32位 DDR4 SDRAM
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