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與第一代和第二代相比，第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場(chǎng)、更高的熱導(dǎo)率、更大的電子飽和度以及更高的抗輻射能力，更適合制造耐高溫、高壓的大功率及高頻器件，目前公認(rèn)最具代表性的是SiC和GaN材料。 特斯拉Model 3逆變器采用意法半導(dǎo)體的全SiC功率模塊，之后，越來越多的車企都計(jì)劃在主逆變器上應(yīng)用SiC器件。2019年SiC器件市場(chǎng)約為5億美元，預(yù)計(jì)市場(chǎng)年均增速將高達(dá)40%，目前主要由英飛凌、意法、羅姆等國外廠商占據(jù)。國內(nèi)SiC產(chǎn)業(yè)投資熱度高漲，已披露的投資項(xiàng)目約20個(gè)，覆蓋從襯底到功率模塊全產(chǎn)業(yè)鏈，投資金額達(dá)300億元。 GaN在5G宏基站和毫米波小基站以及快充市場(chǎng)中獲得應(yīng)用。由于高頻下具有較高的輸出功率和效率，GaN在射頻領(lǐng)域應(yīng)用較多。2020年2月，小米推出65W GaN充電器，從0充電至100%僅需45分鐘，引發(fā)市場(chǎng)熱捧。2019年GaN器件市場(chǎng)約為0.8億美元，預(yù)計(jì)年增速也高達(dá)40%。目前GaN射頻市場(chǎng)主要由Cree、Macom、Intel等占據(jù)，功率市場(chǎng)有英飛凌、Transphorm等。近來年，國內(nèi)企業(yè)如三安集成、海威華芯等也在積極布局GaN項(xiàng)目。 后疫情時(shí)期，隨著中國政府推動(dòng)的新基建產(chǎn)業(yè)興起，5G、新能源汽車、消費(fèi)電子等行業(yè)的快速發(fā)展，SiC和GaN產(chǎn)業(yè)和相關(guān)企業(yè)將迎來空前的發(fā)展機(jī)遇。 第三代半導(dǎo)體技術(shù)、材料、設(shè)備與市場(chǎng)論壇2020擬定于9月8-9日在廈門召開。會(huì)議將由亞化咨詢主辦，多家國內(nèi)外龍頭企業(yè)重點(diǎn)參與。 有關(guān)事宜通知如下： 一、 研討會(huì)議題： 1. 全球與中國第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)及產(chǎn)業(yè)發(fā)展機(jī)遇 2. 中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策與項(xiàng)目規(guī)劃 3. 第三代半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展趨勢(shì) 4. SiC PVT長(zhǎng)晶技術(shù)&液相法的現(xiàn)狀及發(fā)展 5. 新基建相關(guān)產(chǎn)業(yè)對(duì)第三代半導(dǎo)體及材料的需求 6. SiC市場(chǎng)以及技術(shù)發(fā)展難題&解決方案 7. GaN射頻器件及模塊在5G基站方面的應(yīng)用 8. GaN在快充市場(chǎng)中的發(fā)展及替代情況 9. 第三代半導(dǎo)體國產(chǎn)化與技術(shù)及設(shè)備發(fā)展機(jī)遇與挑戰(zhàn) 10. 其他化合物半導(dǎo)體，如GaAs等 11. 工業(yè)參觀與考察 二、 時(shí)間：2020年9月8-9日 三、 會(huì)議地點(diǎn)：廈門五緣灣凱悅酒店 四、 報(bào)到時(shí)間：2020年9月7日 17：00-20：00 五、 會(huì)議注冊(cè)費(fèi)和回執(zhí)，請(qǐng)聯(lián)系： 陳經(jīng)理：021-68726606-109/13701609248（微信同號(hào)） 或填寫表單預(yù)報(bào)名：http://idepwa1pt9m7lqzd.mikecrm.com/lMNIpvd |
