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器件采用PowerPAK SO-8單體封裝，柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積優(yōu)值系數(shù)達(dá)到同類產(chǎn)品最佳水平 Vishay首度推出-30 V p溝道功率MOSFET---SiRA99DP，10 V條件下導(dǎo)通電阻降至1.7 mΩ。Vishay Siliconix TrenchFET第四代SiRA99DP導(dǎo)通電阻達(dá)到業(yè)內(nèi)最低水平，采用熱增強(qiáng)型6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK SO-8單體封裝，專門(mén)用來(lái)提高功率密度。 
日前發(fā)布的MOSFET導(dǎo)通電阻比市場(chǎng)上排名第二的產(chǎn)品低43%，降低壓降并減小傳導(dǎo)損耗，從而實(shí)現(xiàn)更高功率密度。SiRA99DP超低柵極電荷僅為84 nC，柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積，即開(kāi)關(guān)應(yīng)用中MOSFET的重要優(yōu)值系數(shù) (FOM) 為185 mΩ*nC，達(dá)到同類產(chǎn)品最佳水平。 器件是輸入電壓12 V電路的理想選擇，適用于適配器、電池和通用電源開(kāi)關(guān)、反向極性電池保護(hù)、 OR-ing功能，以及電信設(shè)備、服務(wù)器、工業(yè)PC和機(jī)器人的電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制。SiRA99DP減少并聯(lián)器件數(shù)量，換句話說(shuō)，加大單個(gè)器件電流，從而提高功率密度，節(jié)省這些應(yīng)用的主板空間。此外，作為p溝道MOSFET，器件不需要電荷泵提供n溝道器件所需的正向柵壓。 這款MOSFET經(jīng)過(guò)RG和UIS測(cè)試，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無(wú)鹵素。 SiRA99DP現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，供貨周期為12周，視市場(chǎng)情況而定。 |
