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ISSI代理IS61WV204816ALL高速異步SRAM

發(fā)布時(shí)間:2021-3-9 17:11    發(fā)布者:宇芯電子
關(guān)鍵詞: 高速異步SRAM , 異步SRAM , SRAM , ISSI代理
ISSI IS61WV204816ALL是高速,32M位靜態(tài)RAM,組織為2048K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造的。這種高度可靠的過(guò)程與創(chuàng)新的電路設(shè)計(jì)技術(shù)相結(jié)合,可生產(chǎn)出高性能和低功耗的設(shè)備。

當(dāng)CS#為高電平(取消選擇)時(shí),器件將進(jìn)入待機(jī)模式,在該模式下,可以通過(guò)CMOS輸入電平降低功耗。通過(guò)使用芯片使能和OutputEnable輸入,可以輕松擴(kuò)展存儲(chǔ)器。激活的LOWWriteEnable(WE#)控制存儲(chǔ)器的寫入和讀取。數(shù)據(jù)字節(jié)允許訪問(wèn)高字節(jié)(UB#)和低字節(jié)(LB#)。

IS61WV204816ALL采用JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的48引腳TSOP(TYPEI)和48引腳微型BGA(6mmx8mm)封裝。ISSI代理宇芯電子支持產(chǎn)品應(yīng)用解決方案及例程等技術(shù)支持。

引腳配置



48針微型BGA(6mmx8mm)    48針TSOP,I型(12mmx20mm)


IS61WV204816AL特征
•高速訪問(wèn)時(shí)間:10ns,12ns
•高性能,低功耗CMOS工藝
•多個(gè)中心電源和接地引腳,可增強(qiáng)抗噪能力
•使用CS#和OE#輕松進(jìn)行內(nèi)存擴(kuò)展
•TTL兼容的輸入和輸出
•單電源
–1.65V-2.2VVDD(IS61WV204816ALL)
–2.4V-3.6VVDD(IS61WV204816BLL)
•可用軟件包:
-48球迷你BGA(6mmx8mm)
-48引腳TSOP(I型)
•工業(yè)和汽車溫度支持
•可用無(wú)鉛
•數(shù)據(jù)控制的高低字節(jié)

功能說(shuō)明
sram是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器之一。每個(gè)字節(jié)或字都有一個(gè)地址,可以隨機(jī)訪問(wèn)。SRAM支持三種不同的模式。每個(gè)功能在下面的“真值表”中進(jìn)行了描述。

待機(jī)模式
取消選擇時(shí)(CS#高),設(shè)備進(jìn)入待機(jī)模式。輸入和輸出引腳(I/O0-15)處于高阻抗?fàn)顟B(tài)。此模式下的CMOS輸入將最大程度地節(jié)省功率。

寫模式
所選芯片(CS#)和寫入使能(WE#)輸入為低電平時(shí)的寫操作問(wèn)題。輸入和輸出引腳(I/O0-15)處于數(shù)據(jù)輸入模式。即使OE#為L(zhǎng)OW,在此期間輸出緩沖區(qū)也會(huì)關(guān)閉。UB#和LB#啟用字節(jié)寫入功能。通過(guò)使LB#為低電平,來(lái)自I/O引腳(I/O0至I/O7)的數(shù)據(jù)被寫入地址引腳上指定的位置。且UB#為低電平時(shí),來(lái)自I/O引腳(I/O8至I/O15)的數(shù)據(jù)被寫入該位置。

讀取模式
選擇芯片時(shí)(CS#為低電平),寫使能(WE#)輸入為高電平時(shí),讀操作出現(xiàn)問(wèn)題。當(dāng)OE#為L(zhǎng)OW時(shí),輸出緩沖器打開以進(jìn)行數(shù)據(jù)輸出。不允許在讀取模式下對(duì)I/O引腳進(jìn)行任何輸入。UB#和LB#啟用字節(jié)讀取功能。通過(guò)啟用LB#LOW,來(lái)自內(nèi)存的數(shù)據(jù)將出現(xiàn)在I/O0-7上。且UB#為L(zhǎng)OW時(shí),來(lái)自內(nèi)存的數(shù)據(jù)將出現(xiàn)在I/O8-15上。

在READ模式下,可以通過(guò)將OE#拉高來(lái)關(guān)閉輸出緩沖器。在這種模式下,內(nèi)部設(shè)備作為READ進(jìn)行操作,但I(xiàn)/O處于高阻抗?fàn)顟B(tài)。由于器件處于讀取模式,因此使用有功電流。

上電初始化
該器件包括用于啟動(dòng)上電初始化過(guò)程的片上電壓傳感器。
當(dāng)VDD達(dá)到穩(wěn)定水平時(shí),器件需要150us的tPU(上電時(shí)間)來(lái)完成其自初始化過(guò)程。

初始化完成后,設(shè)備即可正常運(yùn)行。



IS61-64WV204816ALL_BLL.pdf (979.71 KB)
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宇芯電子 發(fā)表于 2021-3-9 17:12:48
ISSI IS61WV204816ALL是高速,32M位靜態(tài)RAM,組織為2048K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造的。這種高度可靠的過(guò)程與創(chuàng)新的電路設(shè)計(jì)技術(shù)相結(jié)合,可生產(chǎn)出高性能和低功耗的設(shè)備。
宇芯電子 發(fā)表于 2021-3-9 17:13:24
IS61WV204816AL特征
•高速訪問(wèn)時(shí)間:10ns,12ns
•高性能,低功耗CMOS工藝
•多個(gè)中心電源和接地引腳,可增強(qiáng)抗噪能力
•使用CS#和OE#輕松進(jìn)行內(nèi)存擴(kuò)展
•TTL兼容的輸入和輸出
•單電源
–1.65V-2.2VVDD(IS61WV204816ALL)
–2.4V-3.6VVDD(IS61WV204816BLL)
•可用軟件包:
-48球迷你BGA(6mmx8mm)
-48引腳TSOP(I型)
•工業(yè)和汽車溫度支持
•可用無(wú)鉛
•數(shù)據(jù)控制的高低字節(jié)
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