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FRAM只是一種像ram一樣運(yùn)行的高速非易失性存儲(chǔ)器。這允許程序員根據(jù)需要靈活地分配ROM和RAM存儲(chǔ)器映射。它為最終用戶創(chuàng)造了在底層對(duì)FRAM進(jìn)行編程以根據(jù)他們的個(gè)人喜好進(jìn)行定制的機(jī)會(huì)。獨(dú)立的FRAM允許設(shè)計(jì)人員發(fā)揮創(chuàng)造力，在廣泛的設(shè)計(jì)中探索和使用FRAM。FRAM具有非揮發(fā)性、高速寫入、高耐力以及低功耗的特性，適合應(yīng)用在辦公自動(dòng)化設(shè)備、通訊設(shè)備、音響、影音設(shè)備、測(cè)量分析裝置、娛樂、固態(tài)硬盤、自動(dòng)柜員機(jī)、FA等領(lǐng)域。富士通代理介紹一款I(lǐng)2C接口的鐵電存儲(chǔ)器。 ■描述 MB85RC16V是一款FRAM芯片，采用2,048字×8位配置，采用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元。與SRAM不同，MB85RC16V能夠在不使用數(shù)據(jù)備份電池的情況下保留數(shù)據(jù)。 MB85RC16V中使用的存儲(chǔ)單元每字節(jié)至少具有1012次讀/寫操作耐久性，與其他非易失性存儲(chǔ)產(chǎn)品支持的讀和寫操作數(shù)量相比，這是一個(gè)顯著的改進(jìn)。MB85RC16V可以提供以1字節(jié)為單位的寫入，因?yàn)椴幌馞lash存儲(chǔ)器和E2PROM需要很長(zhǎng)的寫入時(shí)間。因此不需要像寫忙狀態(tài)那樣的寫完成等待序列。 ■特點(diǎn) •位配置：2,048字×8位 •兩線串行接口：完全由兩個(gè)端口控制：串行時(shí)鐘（SCL）和串行數(shù)據(jù)（SDA）。 •工作頻率：1MHz（最大） •讀/寫耐久性：1012次/字節(jié) •數(shù)據(jù)保留：10年(+85℃)、95年(+55℃)、超過200年(+35℃) •工作電源電壓：3.0V至5.5V •低功耗：工作電源電流90μA(Typ@1MHz)待機(jī)電流5μA(Typ) •工作環(huán)境溫度范圍：−40℃至+85℃ •封裝：8針?biāo)芰蟂OP(FPT-8P-M02)符合RoHS ■I2C（內(nèi)部集成電路） MB85RC16V具有兩線串行接口；I2C總線，并作為從設(shè)備運(yùn)行。 I2C總線定義了“主”和“從”設(shè)備的通信角色，主方擁有發(fā)起控制的權(quán)限。此外，I2C總線連接是可能的，其中單個(gè)主設(shè)備連接到派對(duì)線路配置中的多個(gè)從設(shè)備。 ■I2C通信協(xié)議 I2C總線僅通過兩條線提供通信，因此，當(dāng)SCL為“L”電平時(shí)，SDA輸入應(yīng)改變。但是，在啟動(dòng)和停止通信序列時(shí)，SDA允許更改，而SCL為“H”電平。 •開始條件 要通過I2C總線啟動(dòng)讀或?qū)懖僮�，�?qǐng)?jiān)赟CL輸入為“H”電平時(shí)將SDA輸入從“H”電平更改為“L”電平。 •停止條件 要停止I2C總線通信，請(qǐng)?jiān)赟CL輸入為“H”電平時(shí)將SDA輸入從“L”電平更改為“H”電平。在讀取操作中，輸入停止條件完成讀取并進(jìn)入待機(jī)狀態(tài)。在寫入操作中，輸入停止條件完成重寫數(shù)據(jù)的輸入并進(jìn)入待機(jī)狀態(tài)。 |
| FRAM只是一種像ram一樣運(yùn)行的高速非易失性存儲(chǔ)器。這允許程序員根據(jù)需要靈活地分配ROM和RAM存儲(chǔ)器映射。它為最終用戶創(chuàng)造了在底層對(duì)FRAM進(jìn)行編程以根據(jù)他們的個(gè)人喜好進(jìn)行定制的機(jī)會(huì)。 |
| FRAM具有非揮發(fā)性、高速寫入、高耐力以及低功耗的特性，適合應(yīng)用在辦公自動(dòng)化設(shè)備、通訊設(shè)備、音響、影音設(shè)備、測(cè)量分析裝置、娛樂、固態(tài)硬盤、自動(dòng)柜員機(jī)、FA等領(lǐng)域。富士通代理介紹一款I(lǐng)2C接口的鐵電存儲(chǔ)器。 |
| MB85RC16V是一款FRAM芯片，采用2,048字×8位配置，采用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元。與SRAM不同，MB85RC16V能夠在不使用數(shù)據(jù)備份電池的情況下保留數(shù)據(jù)。 |
