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ST推出采用獨有先進技術(shù)的新系列射頻功率晶體管

發(fā)布時間:2011-10-11 18:17    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: LDMOS , RF , 功率晶體管 , 射頻
意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)推出新系列射頻(RF)功率晶體管。新系列產(chǎn)品采用先進技術(shù),為政府通信、用于緊急救援的專用移動無線電系統(tǒng)以及L波段衛(wèi)星上行設(shè)備等要求苛刻的重要應用領(lǐng)域提高無線通信系統(tǒng)的性能、穩(wěn)健性及可靠性。

保安和緊急救援組織及商業(yè)通信公司所使用的無線基站和中繼器等通信設(shè)備必須在輸出大功率高頻RF信號的同時保持低失真率,這兩個相互矛盾的要求使系統(tǒng)設(shè)計變得更加復雜,并增加了產(chǎn)品成本。多年來市場應用證明,LDMOS技術(shù)可以為設(shè)計人員實現(xiàn)這些目標,而意法半導體現(xiàn)在更推出了一項讓設(shè)備設(shè)計人員能夠進一步提高系統(tǒng)性能的先進技術(shù)。



意法半導體RF產(chǎn)品市場和應用支持經(jīng)理Serge Juhel表示:“LDMOS是實現(xiàn)高速且穩(wěn)健的無線通信的關(guān)鍵技術(shù),我們的下一代產(chǎn)品將幫助設(shè)備設(shè)計人員提高RF功率,而不會降低重要的系統(tǒng)性能指標,包括線性、穩(wěn)健性及可靠性。我們此次推出的先進產(chǎn)品將為專用移動無線電系統(tǒng)、政府寬帶通信、航天通信系統(tǒng)以及衛(wèi)星上行射頻等重要應用領(lǐng)域帶來優(yōu)勢!

LET 系列RF 晶體管采用意法半導體最新的STH5P LDMOS制造技術(shù),擁有更高的功率飽和功能,可最大限度地降低信號在大功率下的失真率。新系列產(chǎn)品的工作頻率高達2GHz,且大幅改進了線性、穩(wěn)健性和可靠性。能效更較上一代LDMOS產(chǎn)品提高了10-15%。

此外,新系列產(chǎn)品的增益也比上一代產(chǎn)品提高3dB,這有助于簡化放大器設(shè)計,最大幅度地減少元器件數(shù)量。其它改進功能還包括擊穿電壓從65V提高至80V,更佳的熱性能可大幅提高系統(tǒng)可靠性和負載失匹功能。

目前LET系列共有6款已量產(chǎn)產(chǎn)品,另外5款產(chǎn)品預計于2011年第四季度投入量產(chǎn)。新產(chǎn)品采用工業(yè)標準的倒螺栓封裝或耳式封裝。

采用價格實惠的Power-SO 10RF塑料貼裝的彎曲或豎直引腳的產(chǎn)品目前已在品質(zhì)檢測階段。

詳情請訪問意法半導體公司網(wǎng)站:www.st.com/rf
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