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實(shí)用IGBT焊接電源方案及炸管對(duì)策

發(fā)布時(shí)間:2011-10-18 11:19    發(fā)布者:1046235000
關(guān)鍵詞: IGBT , 電源方案 , 焊接 , 炸管對(duì)策
 實(shí)用IGBT焊接電源方案及炸管對(duì)策!逆變電焊機(jī)=逆變焊接電源+焊接裝置。只要做好逆變焊接電源,那么系列產(chǎn)品就迎刃而解。影響逆變焊接電源可靠性的主要問(wèn)題是“炸管。為了研究“炸管“!
  首先分析逆變焊接電源的構(gòu)成原理:
  可以概括為:一個(gè)“橋路 “,和二個(gè)“回路“。
  1.1一個(gè)“橋路 “;選取的方案有硬開(kāi)關(guān)及軟開(kāi)關(guān)電路,目前比較有實(shí)用價(jià)值的軟開(kāi)關(guān)電路叫有限雙極性,但本人認(rèn)為其電路有一臂是軟開(kāi)關(guān),而另一臂是更加硬的硬開(kāi)關(guān),更易“炸管“!商品機(jī)當(dāng)前不易采用!
  1.2“橋路 “有H型全橋“----時(shí)代、奧太、威特力、瑞凌等品牌采用。
  “半橋“----威特力、瑞凌等品牌采用。
  “單端”----以前一烘而上時(shí)期流行過(guò),現(xiàn)今很少采用。
  1.3“橋路 “的吸收電路----繁雜的R.C.D吸收電路,往往是“炸管“的重要誘因!
  二個(gè)回路,1.是主電流回路----從整流瀘波、逆變橋路、主變壓器、二次整流、輸出電感、負(fù)載電弧。
  2. 是控制回路----從輸出取樣、運(yùn)放(PI)、脈寬調(diào)節(jié)器(PWM)、驅(qū)動(dòng)電路、控制功率開(kāi)關(guān)元件IGBT.
  在選擇焊接電源方案首先要防止炸管,讓IGBT工作得更好!
  我個(gè)人的觀點(diǎn);主電流回路引發(fā)“炸管“----是回路雜散電感與快速開(kāi)關(guān)電流引發(fā)的”過(guò)壓”。
  控制回路引發(fā)“炸管“----是控制不良使IGBT運(yùn)行軌跡超出它的安全工作區(qū)而損壞。
  主回路的分布電感Ls及快速變化的電流di/dt引起鈴振產(chǎn)生高壓。主變壓器的漏感也會(huì)引起極大沖擊電流。實(shí)際上主要解決結(jié)構(gòu)及主變的工藝,以及直流供電源(535V)有良好的高頻通路。
  電源的濾波電路:以往用電解電容,但電解電容在高頻下阻抗有毫歐級(jí),發(fā)熱老化,應(yīng)是“炸管“重大原因!并聯(lián)CBB電容可提供高頻電流通路,但許多焊機(jī)并聯(lián)的電容只有100n或474,幾乎杯水車(chē)薪 不起作用!實(shí)用應(yīng)并CBB61.10- 70微法~450V,有良好效果。
  濾波良好的電流波形頂端線條較細(xì)(照片用閃光燈變粗)
  主變壓器的方案:
  S1-初級(jí)導(dǎo)線總截面積,S2-次級(jí)導(dǎo)線總截面積,對(duì)次級(jí)全波整流電路,則S2=1.41S1為最好方案。磁芯用EE128,窗口柱長(zhǎng),漏感小,是WS315機(jī)型最合理選擇.ZX7-400則首選非晶環(huán)!用UF66這類(lèi)磁芯比較適宜于半橋電路!實(shí)際上主變壓器是整機(jī)可靠性關(guān)鍵,大多數(shù)波形不良的機(jī)器調(diào)正線路上元件毫無(wú)意義!所以節(jié)省別處也決不要省主變壓器。

  
  
  上圖為典型不良驅(qū)動(dòng)波形!驅(qū)動(dòng)前沿不快!
  上沖尖角表示驅(qū)動(dòng)有漏感(脈沖變壓器差)!
  頂降為能量不足。
  IGBT有效安全工作電流大打折扣。ü烙(jì)5折)很易炸管。
  開(kāi)關(guān)頻率高,耐沖擊電流大,但穩(wěn)態(tài)總損耗也大。這是矛盾!
  由于IGBT關(guān)斷拖尾電流造成開(kāi)關(guān)過(guò)程的最重?fù)p耗,所以工作頻率在20-30KHz合適。
  目前,IGBT的技術(shù)進(jìn)步很快,據(jù)報(bào)導(dǎo);無(wú)拖尾的IGBT己試制成功。
  將來(lái)會(huì)有更加安全工作的IGBT供焊機(jī)應(yīng)用。
  早年我們使用IGBT炸管極多,很多老型號(hào)的60-100有時(shí)關(guān)機(jī)就壞!
  幾乎不能測(cè)耐壓,圖示儀打耐壓一到拐點(diǎn)就永久失效。選新型號(hào)的IGBT要選Ices大一些。列幾個(gè)供參考;
  BSM50GB120DN2------Ices=0.8---3.5mA
  SKM75GB128D------Ices=0.1---0.3mA
  FGL60N100BNTD-----Ices=1mA
  一般二手的igbt最好別用!

其它內(nèi)容參見(jiàn):IGBT 系統(tǒng)設(shè)計(jì)攻略
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