|
MR0D08BMA45R是一款雙電源1Mbit的磁阻隨機存取存儲器(MRAM)器件。支持+1.6~+3.6V的I/O電壓。提供SRAM兼容的45ns讀/寫時序，具有無限的耐用性。數(shù)據(jù)在超過20年的時間里始終是非易失性的。數(shù)據(jù)通過低壓抑制電路在斷電時自動保護，以防止電壓超出規(guī)格的寫入。MR0D08BMA45R是必須快速永久存儲和檢索關(guān)鍵數(shù)據(jù)和程序的應用的理想內(nèi)存解決方案。 MR0D08BMA45R采用小尺寸8mmx8mm、48引腳球柵陣列(BGA)封裝，在廣泛的溫度范圍內(nèi)提供高度可靠的數(shù)據(jù)存儲。該產(chǎn)品提供商業(yè)溫度（0至+70℃）。此款MRAM存儲器可取代系統(tǒng)中的FLASH、SRAM、EEPROM和BBSRAM，實現(xiàn)更簡單、更高效的設(shè)計。通過更換電池供電的SRAM提高可靠性。 特征 +3.3伏電源 •I/O電壓范圍支持+1.65至+3.6伏寬接口 •45ns的快速讀/寫周期 •SRAM兼容時序 •無限讀寫耐力 •數(shù)據(jù)在溫度下超過20年始終非易失性 •符合RoHS的小尺寸BGA封裝 Everspin Technologies, Inc是設(shè)計制造和商業(yè)化分立和MRAM和STT-MRAM進入數(shù)據(jù)持久性和應用程序的市場和應用領(lǐng)域的翹楚。完整性、低延遲和安全性至關(guān)重要。Everspin非易失性存儲MRAM在數(shù)據(jù)中心、云存儲、能源、工業(yè)、汽車和交通運輸市場，建立了世界上最強大和增長最快的 MRAM 用戶基礎(chǔ)。 |
