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參與第3期Numonyx知識競賽，贏取Altera Cyclone III 開發(fā)板和sd卡,你還在等什么，趕緊去參加把！
http://comm.ednchina.com/Company/Numonyx/Question.aspx
挑戰(zhàn)問題三
問題1 隨著如今的高容量存儲器技術邁向下一代具有挑戰(zhàn)性的30nm大關，人們認為相變存儲器的理論極限尺度是？
20 nm
15 nm
10 nm
5 nm
問題2 Numonyx近期在何處發(fā)表了題為《硫族化合物相變存儲器：未來十年的存儲器技術》的文章？
2009年IEEE國際電子器件會議（IEDM）
2010年IEEE系統(tǒng)會議
BCS統(tǒng)計與預測會議
先進技術分會
問題3 下面哪種技術相較于另外三種生產(chǎn)技術其產(chǎn)品耐久度能夠獲得十倍以上的提升？
NAND SLC
NOR
PCM
NAND MLC
問題4 相變存儲器單元的非結晶態(tài)和結晶態(tài)的轉變導致電荷流經(jīng)存儲器單元時阻力的變化是下面哪種技術的典型范例？
電荷存儲技術
浮動柵技術
狀態(tài)轉換技術
衰竭離子技術
問題5 下面哪種問題的產(chǎn)生于電荷存儲單元面積的不斷縮小有關？
可以存儲電子的單元的質量
隨著層數(shù)的增加，MLC可靠性的降低
每bit成本繼續(xù)以傳統(tǒng)方式降低時所面臨的潛在困難
上述三個選項 |
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發(fā)表于 2010-1-20 14:43:03
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