IPT012N08N5,MOSFET N-CH 80V 晶體管

Mindy—mjd

描述：MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF

型號：IPT012N08N5

FET 類型：N 通道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：80 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：300A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：1.2 毫歐 @ 150A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.8V @ 280μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：223 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：17000 pF @ 40 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：375W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
供應商器件封裝：PG-HSOF-8-1
封裝/外殼：8-PowerSFN




特征
高頻開關和同步的理想選擇。
優(yōu)秀gatechargexRDS(on)product(FOM)
極低電阻RDS(on)
N通道，正常電平
100% 雪崩測試
無鉛電鍍；符合 RoHS 標準
符合 JEDEC1) 標準，適用于目標應用
符合IEC61249-2-21


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