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PSRAM存儲芯片是常用的外部存儲設(shè)備。具有SRAM接口協(xié)議、給出地址、讀寫指令、實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲。不需要復(fù)雜的內(nèi)存控制器來控制內(nèi)存單元來定期刷新數(shù)據(jù)。傳統(tǒng)的SRAM它由六個(gè)晶體管組成cell，而psram它由一個(gè)晶體管制成一個(gè)電容構(gòu)成一個(gè)存儲cell，因此psram可實(shí)現(xiàn)較大的存儲容量。 串行PSRAM的低引腳封裝和傳統(tǒng)RAM儲存相比，具有尺寸小、成本低等優(yōu)點(diǎn)。串行psram對外互聯(lián)通過八路串聯(lián)，最高為200MHz雙倍數(shù)據(jù)速率在速度下，可實(shí)現(xiàn)超3Gbps帶寬傳送。相比較于傳統(tǒng)存儲器具有更大的帶寬。 串行PSRAM選用DRAM架構(gòu)，能有效壓縮芯片體積，串行psram生產(chǎn)成本接近DRAM成本，具有成本較低的優(yōu)勢。psram自刷新無需刷新電路即可存儲其內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)；DRAM每隔一段時(shí)間，刷新充電一次，否則內(nèi)部數(shù)據(jù)就會消失，psram相比傳統(tǒng)RAM會有更廣泛的應(yīng)用。 PSRAM目前支持的標(biāo)準(zhǔn)有JEDEC JESD251A(Profile 2.0)、HyperRAM、Xccela standards，其對應(yīng)的廠家為apmemory。 APS6404L該P(yáng)SRAM存儲器器件具有高速，低引腳數(shù)接口。具有4個(gè)SDR I/O引腳，并以高達(dá)144 MHz的頻率在SPI或QPI模式下運(yùn)行。適合于低功耗和低成本便攜式應(yīng)用。結(jié)合了無縫的自我管理刷新機(jī)制。因此它不需要系統(tǒng)主機(jī)支持DRAM刷新。采用小尺寸封裝8引線USON-8L 3x2mm。AP Memory代理商英尚微電子提供驅(qū)動、例程以及必要的FAE支持。 |
