|
雖然很多單片機內(nèi)部集成SRAM空間，但是在一些需要大數(shù)據(jù)存儲的場合，SRAM仍然不夠用，需要外擴SRAM芯片，來擴展處理器的性能。 IS61WV25616B芯片的訪問時間為8到12ns，典型功耗為85mW，低功耗模式最低僅為0.6mW，常見的供電電壓VCC為3.3V，靜態(tài)操作方式，不需要自刷新，這點和SDRAM芯片不同。輸出也是三態(tài)輸出，有TSOP-32，TSOP44和BGA-36等多種封裝。CE引腳是低電平有效。 國產(chǎn)SRAM芯片廠家偉凌創(chuàng)芯EMI504WF16可替換IS61WV25616B，此款EMI504WF16異步快速SRAM芯片位寬為256K*16K字。使用16條公共輸入和輸出線，并有一個輸出使能引腳，其運行速度比讀取周期中的地址訪問時間快。封裝采用TSOP44 2封裝，適用于高密度高速系統(tǒng)應(yīng)用。更多產(chǎn)品詳情請洽代理英尚微。 SRAM芯片使用時的注意事項：SRAM芯片一般使用異步接口;電源需要加去耦電容，一般100nf取值，靠近芯片引腳放置;SRAM芯片國內(nèi)也有很多廠家在出售，性能還不錯，可以考慮國產(chǎn)芯片成本更低。 |
