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LN2312LT1G 20V N-CH 增強(qiáng)型 MOSFET SOT23

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發(fā)表于 2022-10-18 11:47:52 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎(jiǎng)勵(lì) |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式
關(guān)鍵詞: MOSFET , 分立半導(dǎo)體 , LN2312LT1G
20V N-CH 增強(qiáng)型 MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管
型號(hào):LN2312LT1G
漏源極電阻:0.041 Ω
閾值電壓:0.4 V
漏源極電壓(Vds):20 V
連續(xù)漏極電流(Ids):4.9A
封裝:SOT-23


特征
先進(jìn)的溝槽工藝技術(shù)
用于超低導(dǎo)通電阻的高密度電池設(shè)計(jì)
S- 汽車(chē)和其他需要的應(yīng)用的前綴
獨(dú)特的現(xiàn)場(chǎng)和控制變更要求;AEC-Q101
合格且具備 PPAP 能力
V DS = 20V
R DS(ON),Vgs @ 4.5V,Ids @ 5.0A =41mΩ
R DS(ON),Vgs @ 2.5V,Ids @ 4.5A = 47m

供應(yīng)LN2312LT1G 20V N-CH 增強(qiáng)型 MOSFET SOT23,全新原裝,實(shí)單價(jià)優(yōu),歡迎聯(lián)系。
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