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電路保護中的欠壓/過壓閉鎖:使用比較器,實用巧設(shè)計

發(fā)布時間:2023-2-17 09:57    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 電路保護 , 欠壓 , 過壓 , 閉鎖 , 比較器
來源:Digi-Key
作者:Alan Yang

電子設(shè)備的實際應(yīng)用中,可能會遇到輸入電壓不穩(wěn)的情況。例如使用電池的便攜式設(shè)備應(yīng)用,輸入電壓Vin可能很難保持非常穩(wěn)定。為了防止電壓過低或過高影響后續(xù)電路,有時有必要增加欠壓/過壓閉鎖設(shè)計。

欠壓閉鎖(UVLO)/ 過壓閉鎖(OVLO)兩個概念的定義如下:

· 欠壓閉鎖(UVLO),輸入電壓達到某一閾值,后續(xù)電路導(dǎo)通,可防止下游電子系統(tǒng)在異常低的電源電壓下工作。
· 過壓閉鎖(OVLO),輸入電壓超過某一閾值,后續(xù)電路斷開,可保護系統(tǒng)免受極高電源電壓的影響。

本文與大家探討,如何使用比較器來實現(xiàn)欠壓/過壓閉鎖,并利用電阻分壓器調(diào)整電源欠壓和過壓閉鎖閾值,同時通過引入遲滯設(shè)計來提高整個電路抗噪聲能力。

欠壓閉鎖(UVLO) 電路設(shè)計

如下圖所示,為了實現(xiàn)欠壓閉鎖(UVLO) 電路設(shè)計,我們需要:

· 一個比較器
· 一個基準電源VT
· 一個功率開關(guān)(比如MOS管)
· 分壓電阻,用來調(diào)節(jié)閾值


圖1:電阻分壓設(shè)計中的欠壓閉鎖電路(圖片來源:ADI



當(dāng)輸入電壓從0 V開始上升到UVLO閾值電壓之前,功率開關(guān)保持斷開狀態(tài);超過UVLO閾值電壓,功率開關(guān)導(dǎo)通,整個電路正常工作。

欠壓閉鎖(UVLO) + 過壓閉鎖(OVLO)電路設(shè)計

與使用兩個電阻串聯(lián)相比,三個電阻串聯(lián)可設(shè)置欠壓和過壓閉鎖閾值。


圖2:欠壓閉鎖(UVLO) + 過壓閉鎖(OVLO)電路設(shè)計(圖片來源:ADI)

如上圖所示,兩個比較器輸出連接到邏輯與門,邏輯與門再連接功率開關(guān)。



當(dāng)輸入電壓從0V到UVLO閾值電壓,電路斷開;從UVLO閾值電壓到OVLO閾值電壓,電路導(dǎo)通;超過OVLO閾值電壓,電路斷開。

· 功率開關(guān)的選擇:N溝道MOS管 vs. P溝道MOS管

在欠壓/過壓閉鎖設(shè)計中,功率開關(guān)可以使用N溝道或P溝道MOS管來實現(xiàn)。

使用N溝道MOS管作為功率開關(guān)時,會有一個小問題, 如下圖所示:


圖3:使用N溝道MOS管,作為欠壓閉鎖電路功率開關(guān)(圖片來源:ADI)

當(dāng)柵極(G)電壓為低電壓(例如:0 V)時斷開(高電阻)。當(dāng)柵極(G)電壓為高電壓時導(dǎo)通,為了完全導(dǎo)通(低電阻)N溝道MOS管,柵極(G)電壓必須比源極電壓(S)高出MOS管閾值電壓。而導(dǎo)通時,MOS管源極(S)與漏極(D)電壓一致,也就是要求柵極(G)電壓必須比電源電壓高出MOS管閾值電壓。因此,這需要使用電荷泵來解決這個問題。

當(dāng)然,使用一些專用的欠壓/過壓保護芯片——如LTC4365、LTC4367和LTC4368——它們集成了比較器和電荷泵?沈(qū)動N溝道MOSFET,同時靜態(tài)功耗較低。

P溝道MOSFET不需要使用電荷泵,但柵極電壓極性相反;也就是說,低電壓時開關(guān)導(dǎo)通,而高電壓時斷開P溝道MOS管。

帶有遲滯功能的欠壓閉鎖電路/欠壓閉鎖電路

對于上面的應(yīng)用,如果輸入電壓上升緩慢并且有噪聲,或者在電池的應(yīng)用場景中,電池本身的內(nèi)阻導(dǎo)致電壓隨著負載電流變大而下降,比較器輸入電壓可能會在閾值電壓附近波動。

為了避免這種類型的波動導(dǎo)致電路的反復(fù)振蕩,需要引入遲滯來避免這種振蕩。比如使用有磁滯的比較器,或者加一些被動器件來實現(xiàn)磁滯功能,從而提高比較器抗噪聲能力。

如下圖所示,欠壓閉鎖電路中,在比較器的正輸入與輸出之間增加一個電阻(RH),來實現(xiàn)延遲。


圖4:帶有遲滯功能的欠壓閉鎖電路 (圖片來源:ADI)



舉個直觀的例子,假設(shè)VT=1V, RT=10 × RB:

· 不加RH時,則上升和下降閾值為11 V(帶入公式1)。
· 增加RH = 100 × RB,則上升輸入閾值為11.1V(帶入公式4),下降閾值為10.09V(帶入公式5);也就是說,遲滯為1.01V。注意該方法對OVLO無效。

如果過壓OVLO需要帶有遲滯功能,該如何實現(xiàn)呢?增加遲滯的另一個方法是,可以加一個開關(guān)來改變底部電阻有效值。


圖5:帶有遲滯功能的欠壓/過壓閉鎖電路 (圖片來源:ADI)



該方法在欠壓閉鎖電路和過壓閉鎖電路中均可使用。

· 帶磁滯功能的比較器

要實現(xiàn)磁滯功能,一種簡便的方法是直接使用帶磁滯功能的比較器。

可以在Digi-Key篩選器中,在類型欄中選擇“窗口”,即是帶磁滯功能的比較器。(Digi-Key帶磁滯功能比較器)


圖6:在Digi-Key網(wǎng)站中搜索帶磁滯功能比較器

這類比較器會針對上升輸入(例如:V +窗口寬度/2)和下降輸入(例如:V - 窗口寬度/2)提供不同的閾值。


圖7:帶磁滯功能比較器的輸入輸出關(guān)系(圖片來源: ADI LTC1042CN8#PBF數(shù)據(jù)手冊)

本文小結(jié)

基于比較器的相同控制電路,利用電阻分壓器,可以輕松實現(xiàn)欠壓和過壓電路設(shè)計。面對電源噪聲,可以使用帶有遲滯功能的比較器,也可以調(diào)節(jié)反饋來實現(xiàn)遲滯功能,以防止電源超過閾值時出現(xiàn)電源開關(guān)打開和關(guān)閉顫振。
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