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基于PLECS的工具可在將設計實現(xiàn)為硬件之前，快速評估針對各種電源開關拓撲結構的解決方案 電氣化正在推動SiC半導體的增長，由于其具備快速開關能力、更低的功率損耗和更高的溫度性能，電動汽車、可持續(xù)發(fā)展和工業(yè)等大型細分市場都轉向SiC電源解決方案。為了幫助電源設計工程師輕松、快速和放心地過渡到SiC電源解決方案，Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）今日宣布推出MPLAB SiC電源模擬器，可在將設計實現(xiàn)為硬件之前，快速評估各種拓撲結構中的Microchip SiC電源器件和模塊。 
Microchip的MPLAB SiC電源模擬器是與Plexim合作設計的基于PLECS的軟件環(huán)境，提供在線免費工具，無需購買模擬許可證。MPLAB SiC電源模擬器加速了各種基于SiC的電源拓撲結構的設計過程。客戶可以放心地在設計階段對SiC解決方案進行基準測試和評估。 Microchip碳化硅業(yè)務部副總裁Clayton Pillion表示：“追求SiC技術的客戶現(xiàn)在可以使用基于網絡的MPLAB SiC電源模擬器，對設計進行基準測試并選擇最適合的Microchip SiC產品。憑借在碳化硅領域二十多年的深耕，Microchip可為客戶提供多種多樣的SiC電源解決方案，還可以很方便地使用其他Microchip配套器件進行設計�！� 新工具通過提供全面的SiC評估，不僅可以提供有價值的基準數(shù)據，還可以減少元件選擇時間，從而加快產品上市速度。如果一位電源電子設計師要在25 mΩ和40 mΩ SiC MOSFET之間選擇三相有源前端轉換器，就可以立即得到模擬結果，如器件的平均功率耗散和峰值結溫。 MPLAB SiC電源模擬器是OEM廠商為電動出行、可持續(xù)發(fā)展和工業(yè)應用設計電源系統(tǒng)的重要設計工具，相關應用包括電動汽車、板上/板下充電、電源和電池儲能系統(tǒng)。 Microchip的SiC產品組合包括具有最低寄生電感（<2.9 nH）的行業(yè)領先的電源模塊，以及具有最高額定電流的行業(yè)領先的3.3 kV分立式MOSFET和二極管。組合內其他產品還包括700V、1200V和1700V的裸片、分立器件和模塊，以及AgileSwitch可配置數(shù)字柵極驅動器。 這些SiC器件具有耐用性和優(yōu)異性能，可提供預計超過100年的柵極氧化物壽命和無退化體二極管。在大功率應用中，SiC技術比硅絕緣柵雙極晶體管（IGBT）具有更高的系統(tǒng)效率、功率密度和溫度穩(wěn)定性。 有關Microchip碳化硅半導體的更多信息，請訪問網站。 支持 客戶在進行設計的每個環(huán)節(jié)，都將得到Microchip資深工程師團隊的專門支持。 供貨與定價 Microchip的MPLAB SiC電源模擬器免費提供，可點擊此處獲取。如需獲取其他信息，請聯(lián)系Microchip銷售代表。 |
