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[供應] (供求)MT25QU512ABB1EW9-0SIT、MT25QU512ABB8E12-0SIT串行NOR閃存 512Mbit

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發(fā)表于 2023-6-12 16:14:37 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
深圳市明佳達電子有限公司(供求)MT25QU512ABB1EW9-0SIT、MT25QU512ABB8E12-0SIT串行NOR閃存 512Mbit ,如有需求,歡迎聯系陳先生qq 1668527835 咨詢洽談。




器件說明:
MT25QU512ABB 512Mbit 串行NOR閃存可滿足消費電子、工業(yè)、有線通信以及計算應用的需求。這些器件采用行業(yè)標準封裝、引腳分配、命令集和芯片組兼容性,易于為各類設計所采用。這樣可節(jié)省寶貴的開發(fā)時間,同時確保與現有和未來設計的兼容性。

Micron串行NOR閃存具有低引腳數,簡單易用,是適用于編碼陰影應用的簡單解決方案;只需在存儲器中提供一個起始地址用于讀取,然后即可在整個存儲器陣列中連續(xù)地從器件輸出數據。高級安全和內存保護等特性可讓您高枕無憂,確保重要程序代碼和敏感用戶數據的安全。Micron的串行NOR閃存解決方案可滿足您的任何應用需求。該款雙四路串行NOR閃存在單一封裝中集成有兩個四路I/O器件,以打造8位雙向I/O結構。Micron雙四路串行NOR的工作頻率為166MHz,將上一代串行NOR的最高帶寬速率提高了一倍(從83MB/s到166MB/s)。



MT25QU512ABB1EW9-0SIT 規(guī)格:
存儲器類型:非易失
存儲器格式:閃存
技術:FLASH - NOR
存儲容量:512Mbit
存儲器組織:64M x 8
存儲器接口:SPI
時鐘頻率:133 MHz
寫周期時間 - 字,頁:8ms, 2.8ms
電壓 - 供電:1.7V ~ 2V
工作溫度:-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:8-WDFN 裸焊盤
供應商器件封裝:8-WPDFN (8x6) (MLP8)




MT25QU512ABB8E12-0SIT 規(guī)格:
存儲器類型:非易失
存儲器格式:閃存
技術:FLASH - NOR
存儲容量:512Mbit
存儲器組織:64M x 8
存儲器接口:SPI
時鐘頻率:133 MHz
寫周期時間 - 字,頁:8ms, 2.8ms
電壓 - 供電:1.7V ~ 2V
工作溫度:-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:24-TBGA
供應商器件封裝:24-T-PBGA (6x8)




特性:
• 較低密度、低引腳數(串行)
• 簡單易用
• 可靠的代碼和數據存儲
• 快速讀取和隨機訪問時間
• 較高的耐用性和數據保持力


注:本文部分內容與圖片來源于網絡,版權歸原作者所有。如有侵權,請聯系刪除!
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